[发明专利]一种芯片封装工艺及芯片封装结构有效

专利信息
申请号: 202011570992.3 申请日: 2020-12-26
公开(公告)号: CN112670194B 公开(公告)日: 2023-05-23
发明(设计)人: 诸舜杰;曹康妮;莫陈睿 申请(专利权)人: 上海韦尔半导体股份有限公司
主分类号: H01L21/56 分类号: H01L21/56;H01L21/60;H01L23/31;H01L23/482;H01L23/485
代理公司: 深圳睿臻知识产权代理事务所(普通合伙) 44684 代理人: 张海燕
地址: 201203 上海市浦东新区自*** 国省代码: 上海;31
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摘要:
搜索关键词: 一种 芯片 封装 工艺 结构
【权利要求书】:

1.一种芯片封装工艺,其特征在于,包括,

步骤一,提供一待处理芯片,芯片正面设有金属凸块,背面贴装在载体上;

步骤二,进行第一次塑封,形成第一塑封体,第一塑封体设在载体上,且芯片和金属凸块处于第一塑封体内;

步骤三,将第一塑封体上表面进行削减,直至金属凸块裸露至第一塑封体外表面为止;

步骤四,在第一塑封体上设置至少一个上过孔并在上过孔中填充金属,上过孔上端面延伸至第一塑封体上表面处;

步骤五,在金属凸块上表面形成第一重布线层,第一重布线层两端与金属凸块和上过孔填充的金属形成电连接;

步骤六,进行第二次塑封,形成第二塑封体,第二塑封体设置在第一塑封体上表面,第一重布线层处于第二塑封体内;

步骤七、对载体进行剥离;

步骤八,在第一塑封体下表面与上过孔对应的位置进行打孔直到与上过孔相通,并在下过孔中填充金属;

步骤九,在芯片背面形成第二重布线层,并在下过孔下端面形成第三重布线层,第二布线层和第三布线层之间不接触;

步骤十,在第二重布线层和第三重布线层上远离第一塑封体的一侧分别对应设置有外引脚;

步骤十一,进行第三次塑封,形成第三塑封体,第三塑封体设置在第一塑封体下表面,第二重布线层、第三重布线层及第二重布线层和第三重布线层上分别对应设置的外引脚处于第三塑封体内;

步骤十二,将第三塑封体上表面进行削减,直至第二重布线层和第三重布线层上的外引脚裸露至第三塑封体外表面为止;

步骤十三,在第二重布线层和第三重布线层上的外引脚下表面设置金属层。

2.如权利要求1所述的一种芯片封装工艺,其特征在于,步骤一中,金属凸块通过焊接、电镀或化镀的方式与芯片正面连接固定,芯片背面通过胶水黏结在载体上。

3.如权利要求1所述的一种芯片封装结构的制作工艺,其特征在于,上过孔和下过孔分别通过激光或机械钻孔的方式形成。

4.如权利要求1所述的一种芯片封装工艺,其特征在于,所述第二重布线层与芯片背面之间通过TiNiAg或者TiCu金属过渡层连接。

5.一种芯片封装结构,其特征在于,通过权利要求1至4任一项所述的的一种芯片封装结构的制作工艺进行制备。

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