[发明专利]薄膜体声波谐振器及其制备方法、滤波器

权利要求书

1.一种薄膜体声波谐振器，所述薄膜体声波谐振器包括：衬底和压电三明治结构，其特征在于，所述衬底具有凹槽，所述压电三明治结构至少部分悬设于所述凹槽的上方，所述凹槽内设置有支撑结构，所述压电三明治结构与所述支撑结构不直接相接。

2.如权利要求1所述的薄膜体声波谐振器，其特征在于，所述压电三明治结构包括压电晶体、位于所述压电晶体之上且与所述压电晶体的上表面至少部分接触的第一电极和位于所述压电晶体之下且与所述压电晶体的下表面至少部分接触的第二电极，所述压电三明治结构与所述支撑结构之间具有缝隙部或所述压电三明治结构与所述支撑结构之间设置有布拉格反射结构。

3.如权利要求2所述的薄膜体声波谐振器，其特征在于，所述支撑结构的形状为柱形、凸台形、锥形、球形、类球形中的一种或几种。

4.如权利要求2所述的薄膜体声波谐振器，其特征在于，所述间隙部的高度为1μm～5μm，或，所述布拉格反射结构的上端距离所述压电三明治结构的下表面的高度为1μm～5μm。

5.如权利要求1～4任一权利要求所述的薄膜体声波谐振器，其特征在于，所述支撑结构设置于靠近键合处位置。

6.如权利要求5所述的薄膜体声波谐振器，其特征在于，所述支撑结构与所述凹槽一体成型，或，所述支撑结构与所述凹槽底部直接接触。

7.如权利要求1～4、6任一权利要求所述的薄膜体声波谐振器，其特征在于，所述支撑结构的数量为一个以上。

8.如权利要求2所述的薄膜体声波谐振器，其特征在于，所述支撑结构与所述压电三明治结构之间设置有布拉格反射结构，所述布拉格反射结构的层数具有两层以上。

9.一种薄膜体声波谐振器的制备方法，其特征在于，包括以下步骤：

提供衬底，刻蚀所述衬底形成凹槽，在所述凹槽内形成支撑结构；

提供压电三明治结构，所述压电三明治结构键合设置于所述凹槽上方，所述压电三明治结构与所述支撑结构不直接接触。

10.如权利要求9所述的薄膜体声波谐振器的制备方法，其特征在于，提供衬底，刻蚀所述衬底形成凹槽，在所述凹槽内形成支撑结构，包括：

提供衬底，在所述衬底上刻蚀出凹槽结构；在具有凹槽结构的所述衬底上镀层后光刻，所述光刻包括涂胶、曝光、显影。

11.如权利要求9或10所述的薄膜体声波谐振器的制备方法，其特征在于，所述提供压电三明治结构，并键合设置于所述凹槽上方包括：

提供转移基板，在所述转移基板上依次沉积第一电极、压电晶体和第二电极，形成所述所述压电三明治结构；将所述压电三明治结构置于所述凹槽的正上方，通过键合工艺使所述第二电极层和所述衬底部分上表面相互贴合；剥离所述转移基板，使在所述凹槽上形成所述压电三明治结构。

12.如权利要求9所述的薄膜体声波谐振器的制备方法，其特征在于，所述提供压电三明治结构，所述压电三明治结构键合设置于所述凹槽上方，包括在所述衬底的凹槽中填充牺牲层；在所述牺牲层上自下而上依次沉积第二电极层、压电薄膜和第一电极层，形成所述压电三明治结构。

13.一种滤波器，其特征在于，所述滤波器包括如权利要求1～8任一权利要求所述的薄膜体声波谐振器，或，包含如权利要求9～12任一权利要求所述的制备方法制备出的薄膜体声波谐振器。