[发明专利]一种熔石英光学元件表面Sol-gel减反射膜层清洗方法

权利要求书

1.一种熔石英光学元件表面Sol-gel减反射膜层清洗方法，其特征在于实施步骤包括：

1）测量待清洗样品表面Sol-gel减反射膜层的膜层厚度h；

2）使用玻璃夹具对待清洗样品进行装夹；

3）将待清洗元件连同玻璃夹具装入离子束机床工作腔内；

4）将离子束机床工作腔抽真空，然后通入惰性气体；

5）对待清洗样品进行一次惰性气体离子束干法清洗工艺，去除待清洗样品表面膜层厚度h的Sol-gel减反射膜层；所述对待清洗样品进行一次惰性气体离子束干法清洗工艺时，采用的工艺参数为从多组清洗参数中优选出一组材料去除效率比最大的一组清洗参数，其中材料去除效率比的值为Sol-gel减反射膜去除效率除以熔石英基底去除效率得到的结果；所述工艺参数包括入射离子能量ε、峰值束流密度J、等离子体入射角度θ以及等离子体加工效率。

2.根据权利要求1所述的熔石英光学元件表面Sol-gel减反射膜层清洗方法，其特征在于，步骤1）的详细步骤包括：

1.1）采用分光光度计对待清洗样品表面透射率进行测量得到透射率光谱；

1.2）根据透射率光谱确定最高透射率所在的波长λ_max；

1.3）根据h=5λ_max/24计算得到待清洗样品表面Sol-gel减反射膜的膜层厚度h，其中λ_max为最高透射率所在的波长。

3.根据权利要求2所述的熔石英光学元件表面Sol-gel减反射膜层清洗方法，其特征在于，步骤1.1）中采用分光光度计对待清洗样品表面透射率进行测量得到透射率光谱时，检测波段为240nm~800nm，测量过程中采样间隔为0.5nm，扫描速度300nm/min。

4.根据权利要求1所述的熔石英光学元件表面Sol-gel减反射膜层清洗方法，其特征在于，步骤4）将离子束机床工作腔抽真空时真空度不小于1×10^-5MPa。

5.根据权利要求1所述的熔石英光学元件表面Sol-gel减反射膜层清洗方法，其特征在于，步骤4）通入惰性气体时，通入惰性气体为Ar气。

6.根据权利要求1所述的熔石英光学元件表面Sol-gel减反射膜层清洗方法，其特征在于，步骤4）通入惰性气体时，通入惰性气体的持续时间为30分钟。

7.根据权利要求1所述的熔石英光学元件表面Sol-gel减反射膜层清洗方法，其特征在于，步骤5）对待清洗样品进行一次惰性气体离子束干法清洗工艺时采用的工艺参数为：入射离子能量ε=600eV，峰值束流密度J=20mA/cm²，等离子体加工效率1.82×10^-3mm³/min，等离子体入射角度θ=0°，清洗轨迹为光栅式扫描，整个过程中的材料去除量δ大于膜层厚度h。

8.根据权利要求1所述的熔石英光学元件表面Sol-gel减反射膜层清洗方法，其特征在于，步骤5）之后还包括下述步骤：将离子束机床工作腔内惰性气体至回收气体罐，通入新的惰性气体，等待清洗后的样品在离子束机床工作腔内自然冷却后取出。

9.根据权利要求8所述的熔石英光学元件表面Sol-gel减反射膜层清洗方法，其特征在于，所述通入新的惰性气体的持续时间为30分钟，通入新的惰性气体为Ar气。

10.根据权利要求8所述的熔石英光学元件表面Sol-gel减反射膜层清洗方法，其特征在于，所述在离子束机床工作腔内自然冷却的时间为3小时。