[发明专利]MEMS异形芯片的切割方法在审
| 申请号： | 202011567365.4 | 申请日： | 2020-12-25 |
| 公开（公告）号： | CN112758885A | 公开（公告）日： | 2021-05-07 |
| 发明（设计）人： | 任霄峰;何洪涛;杨志 | 申请（专利权）人： | 中国电子科技集团公司第十三研究所 |
| 主分类号： | B81C1/00 | 分类号： | B81C1/00 |
| 代理公司： | 石家庄国为知识产权事务所 13120 | 代理人： | 许小荣 |
| 地址： | 050051 *** | 国省代码： | 河北;13 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | mems 异形 芯片 切割 方法 | ||
1.一种MEMS异形芯片的切割方法，其特征在于，包括：
确定MEMS晶圆正面异形芯片的划片道、并制备分离槽，所述分离槽的深度大于所述异形芯片的厚度；
在所述MEMS晶圆正面粘贴第一胶膜，采用研磨的方法对所述MEMS晶圆的背面进行减薄加工，直至研磨掉所述分离槽的槽底；
在减薄后的MEMS晶圆背面粘贴第二胶膜，剥离所述第一胶膜，得到多个独立的MEMS异形芯片。
2.如权利要求1所述的MEMS异形芯片的切割方法，其特征在于，所述制备分离槽的方法为：DRIE干法刻蚀或湿法刻蚀。
3.如权利要求2所述的MEMS异形芯片的切割方法，其特征在于，所述分离槽的深度比所述异形芯片的厚度至少大3μm。
4.如权利要求2所述的MEMS异形芯片的切割方法，其特征在于，所述分离槽采用干法刻蚀制备时，所述分离槽的槽宽与槽深比为1:10～1:40。
5.如权利要求1所述的MEMS异形芯片的切割方法，其特征在于，所述MEMS晶圆的背面进行减薄加工采用的是机械研磨的方法。
6.如权利要求1所述的MEMS异形芯片的切割方法，其特征在于，所述直至研磨掉所述分离槽的槽底步骤之后，还包括：
对所述MEMS晶圆的背面进行干式抛光，直至所述MEMS异形芯片达到预设的厚度。
7.如权利要求1所述的MEMS异形芯片的切割方法，其特征在于，所述第一胶膜为UV膜。
8.如权利要求1所述的MEMS异形芯片的切割方法，其特征在于，所述第二胶膜采用划片胶膜或晶片黏结薄膜。
9.如权利要求1所述的MEMS异形芯片的切割方法，其特征在于，所述制备分离槽的步骤，包括：
根据所述MEMS异形芯片的结构设计所述划片道的掩膜版；
通过光刻将所述划片道转移到所述MEMS晶圆正面的光刻胶上；
采用干法刻蚀或湿法刻蚀沿所述划片道刻蚀形成所述分离槽。
10.如权利要求5所述的MEMS异形芯片的切割方法，其特征在于，所述机械研磨速率为30μm/min。
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