[发明专利]一种半导体机台及检测方法

权利要求书

1.一种半导体机台，其特征在于，包括：

液晶滤光片，以及电荷耦合器件传感器CCD；

在入射光透过所述液晶滤光片照射待测晶圆时，所述液晶滤光片用于调整照射所述待测晶圆的入射光的强度，以使经过所述待测晶圆反射后进入所述CCD的光强小于或等于所述CCD的阈值。

2.根据权利要求1所述的机台，其特征在于，还包括：

外加电压装置，所述外加电场装置用于对所述液晶滤光片施加电压，以调整所述液晶滤光片的透过率。

3.根据权利要求1所述的机台，其特征在于，还包括：

当所述入射光大于预设范围的最大值时，通过调整控制所述液晶滤光片中的液晶分子偏转的电流降低所述液晶滤光片的透过率，以减小所述入射光的光强；

当所述入射光小于预设范围的最小值时时，通过调整控制所述液晶滤光片的液晶分子偏转的电流提高所述液晶滤光片的透过率，以增大所述入射光的光强。

4.根据权利要求1所述的机台，其特征在于，还包括：根据所述进入所述CCD的光强检测所述待测晶圆的厚度和/或关键尺寸。

5.根据权利要求1所述的机台，其特征在于，还包括：成像仪，所述成像仪用于通过所述CCD上检测的电荷成像显示所述待测晶圆每个区域的厚度信息。

6.根据权利要求1-5任意一项所述的机台，其特征在于，还包括：第一反光镜和光栅，所述第一反光镜用于将至少部分所述经过所述待测晶圆反射的光反射至所述光栅上；

所述光栅用于将所述第一反光镜反射的光形成光谱反射至所述CCD中。

7.根据权利要求6所述的机台，其特征在于，还包括：光源、所述光源和所述液晶滤光片之间的分光镜；

所述光源用于发射初始光，所述初始光部分被所述分光镜反射作为所述入射光；

所述入射光经过所述待测晶圆反射后部分透过所述分光镜，作为进入所述第一反光镜的光。

8.根据权利要求1所述的机台，其特征在于，还包括：照相机，所述照相机用于根据所述经过所述待测晶圆发射的光获取所述入射光入射至所述晶圆的位置。

9.根据权利要求8所述的机台，其特征在于，还包括：第二反光镜，所述第二反光镜上有通孔；

所述第二反光镜用于将所述经过晶圆反射的光分为第一部分和第二部分，所述第一部分通过所述通孔进入所述CCD中，所述第二部分反射至所述照相机上，

则所述照相机用于根据所述第二部分获取所述入射光入射至所述待测晶圆的位置。

10.根据权利要求7所述的机台，其特征在于，所述分光镜和所述待测晶圆之间设置有光阑，所述液晶滤光片位于所述光阑的通孔中。

11.根据权利要求10所述的机台，其特征在于，在所述光源和所述光阑之间设置凸透镜。

12.一种检测方法，其特征在于，利用权利要求1-11任意一项所述的半导体机台，包括：

获取经过所述待测晶圆反射后进入所述CCD的光强；

根据所述进入CCD的光强进行所述待测晶圆的检测。

13.根据权利要求12所述的方法，其特征在于，所述根据所述进入所述CCD的光强进行所述待测晶圆的检测包括：

根据所述进入所述CCD的光强检测所述待测晶圆的厚度和/或关键尺寸。

14.根据权利要求12或13所述的方法，其特征在于，所述根据所述进入所述CCD的光强进行所述待测晶圆的检测包括：

将所述进入所述CCD的光强与参考光强进行比较，获得比较结果，所述参考光强为经过标准硅片反射后进入CCD的光强；

根据所述比较结果进行所述待测晶圆的检测。