[发明专利]一种可用于穿刺取样的密封组合盖垫及其制备方法

权利要求书

1.一种可用于穿刺取样的密封组合盖垫，包括盖本体和位于盖本体内底部的密封垫片，其特征在于：所述盖本体底部平整、无加强筋，盖本体无垫片卡槽，盖本体中心设有帽孔，所述盖本体内底部的帽孔外围形成环形面，盖本体内设有延伸到底部的内螺纹；所述密封垫片为梯形，密封垫片上部为硅橡胶，密封垫片下部为含氟防腐膜；所述密封垫片的梯形上底粘接在盖本体内底部的环形面上。

2.根据权利要求1所述可用于穿刺取样的的密封组合盖垫，其特征在于：所述盖本体材质为聚丙烯、聚乙烯或聚碳酯中的一种，所述含氟防腐膜材质为聚四氟乙烯或聚全氟乙丙烯。

3.一种制备如权利要求1或2所述密封组合盖垫的方法，其特征在于，所述方法步骤如下：

(1)表面处理：对盖本体内底部环形面、密封垫片上底与盖本体内底环形面对应的环形区域采用紫外光辐照处理方式进行表面轰击；

(2)涂胶：采用上胶机将胶水涂在表面处理后的盖本体内底环形面的中间环形线上，胶水在盖本体底部环形面上呈环形线状；

(3)装配、持压：将密封垫片的梯形上底面向盖本体内底装入，盖本体内底环形面与密封垫片梯形上底接触，环形线状的胶水扩散至密封垫片梯形上底和盖本体内底环形面上；在5-35N压力下，持续将密封垫片顶压在盖本体内1-10分钟；

(4)静置：常温常压常湿下将持压后的密封组合盖垫静置48小时以上。

4.根据权利要求3所述制备密封组合盖垫的方法，其特征在于：第一步表面处理过程中所述的紫外光辐照是在真空或惰性气体保护环境下，采用波长为100-300nm的紫外光辐照处理。

5.根据权利要求3所述制备密封组合盖垫的方法，其特征在于：第二步涂胶过程中所述胶水为有机硅改性聚合物与无机添加剂的组合物、或硅氧烷、硅油、交联剂与无机添加剂的组合物。

6.根据权利要求3所述制备密封组合盖垫的方法，其特征在于：第二步涂胶过程中所述胶水为半固态或高粘度液态，所述胶水无易挥发有机溶剂。

7.根据权利要求3所述制备密封组合盖垫的方法，其特征在于：第四步静置过程中所述密封组合盖垫的盖口朝上。