[发明专利]一种无机钙钛矿材料及其制备方法和LED器件有效
| 申请号: | 202011563836.4 | 申请日: | 2020-12-25 |
| 公开(公告)号: | CN112794362B | 公开(公告)日: | 2023-03-14 |
| 发明(设计)人: | 韦国丹;马岚;姚越;王春云 | 申请(专利权)人: | 清华-伯克利深圳学院筹备办公室 |
| 主分类号: | C01G29/00 | 分类号: | C01G29/00;H01L33/50;C09K11/66 |
| 代理公司: | 广州嘉权专利商标事务所有限公司 44205 | 代理人: | 张建珍 |
| 地址: | 518000 广东省深圳市*** | 国省代码: | 广东;44 |
| 权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
| 摘要: | |||
| 搜索关键词: | 一种 无机 钙钛矿 材料 及其 制备 方法 led 器件 | ||
本发明公开了一种无机钙钛矿材料及其制备方法和LED器件,该制备方法包括以下步骤:S1、将锡源、铋源溶于第一溶剂,得第一溶液;将铯源溶于第二溶剂,得第二溶液;锡源为亚锡化合物;且铯源、锡源和铋源为氯源,和/或,第一溶剂和第二溶剂为氯源;S2、将第一溶液和第二溶液混合,进行搅拌加热反应,而后进行固液分离,洗涤、干燥。本发明的制备原料成本低廉,且安全无毒,合成操作简单,加热反应即可获得晶体,设备要求低,反应条件要求宽松,产物结晶性好且颗粒均匀,荧光产率高,所得产品无机钙钛矿材料中没有有机基团,光稳定性和热稳定性强,具有潜在可制备高荧光产率蓝光荧光粉的应用价值,进而可应用于制备LED器件。
技术领域
本发明涉及光电材料技术领域,尤其是涉及一种无机钙钛矿材料及其制备方法和LED器件。
背景技术
现有钙钛矿材料中,较为典型的是二维杂化有机无机钙钛矿(2D-HOIPs),其最常见的合成方法是溶液冷却法,其具体是将反应原料按一定比例溶解在同一溶液中,加热到一定温度使其完全溶解,而后冷却结晶;温度降低时,2D-HOIPs的溶解度减小,并从溶液中析出,而为控制好结晶速度以获得结晶度好的晶体,需保持恒定的降温速率,故晶体获得的关键依赖于控制降温程序,因而该合成方法对设备要求高。另外,2D-HOIPs中含有有机基团,使得材料光稳定性差,受光照易分解;并且,其中的有机基团会使钙钛矿的导电性变差,电流难以注入从而使深蓝光不易获得,影响器件的效率和亮度。有报道2D-HOIPs可应用于制备电致发光器件,但在应用过程中,需要先将其溶解在有机溶剂中,再用旋涂或蒸镀方法制备发光膜,因而应用较为复杂,并且其溶解度一般较差,结晶过快,进而会形成不均匀的离散薄膜,难以满足纯蓝光的发射。
此外,现有常见的蓝光粉体大部分以与Eu2+作为活化中心离子,而高温固相法是其常见的合成方法,但该方法反应温度高,耗能大,且在高温下反应,容易出现杂相,如Eu2+被杂质氧化导致杂相,进而影响产品的品质。此外,其合成条件要求苛刻,对设备要求高,若涉及到易于被氧化的原料,反应还需要一直在保护气氛下进行。例如,将Eu2+引入荧光粉体中,原料通常采用相对容易存储的Eu3+的氧化物Eu2O3,所以反应需在还原性气体H2的保护下进行,但还原体系的搭建不易,由于引入到荧光粉体中的Eu2+含量少,体系只要很有极少量的氧化剂(如水和氧气),就能把原本不多的Eu2+氧化掉,造成产品的失败,因此,反应条件要求极为严苛。
铯锡氯(Cs2SnCl6),双钙钛矿结构,是一种无机非金属材料,同时也是直接带隙半导体材料。向其中掺入Bi3+生成的Cs2SnCl6:Bi3+,在光、电等外激发的情况下,能发射出可见光波段的荧光,发光效率较高,在白光LED中具备潜在价值。铯锡氯可用水热法合成,由于该产物的原材料二价Sn,容易在空气中形成CsSnCl3杂相,严重影响了产物结晶性和荧光产率和相纯度。因此,急需寻求一种合成工艺简单,对设备要求低,产物结晶性好,荧光产率高的钙钛矿材料制备方法。
发明内容
本发明旨在至少解决现有技术中存在的技术问题之一。为此,本发明提出一种无机钙钛矿材料及其制备方法和LED器件。
本发明的第一方面,提供一种无机钙钛矿材料的制备方法,包括以下步骤:
S1、将锡源、铋源溶于第一溶剂,得第一溶液;将铯源溶于第二溶剂,得第二溶剂;所述锡源为亚锡化合物;
另外,所述铯源、所述锡源和所述铋源为氯化物,和/或,所述第一溶剂和所述第二溶剂为氯源;
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于清华-伯克利深圳学院筹备办公室,未经清华-伯克利深圳学院筹备办公室许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/pat/books/202011563836.4/2.html,转载请声明来源钻瓜专利网。





