[发明专利]集成输入射频开关以及包括其的放大器

说明书

一种集成输入射频开关及其控制方法，以及包括所述集成输入射频开关的放大器及其控制方法，所述集成输入射频开关包括：偏置电路，其被配置为接收偏置信号，以及驱动级单元，其被配置为接收射频输入信号，并且对射频输入信号进行放大，其中，所述偏置电路连接到所述驱动级单元，并且根据偏置信号来控制所述驱动级单元的导通和关断。

技术领域

射频前端应用中，基带芯片输出的射频信号经常需分开多路进入到功率放大器，天线接收的信号经过多路滤波后也需通过开关的选择进入低噪声放大器。

背景技术

传统方式采用射频开关选择不同的输入信号，后经功率放大器或者低噪声放大器进行放大输出。

在功率放大器中，放大器一般采用GaAs制程，控制器采用CMOS工艺，输入开关通常采用SOI工艺，该方案需要多种不同制程的晶元，会挤占有限的基板空间，使得基板走线复杂化，引起封装成本的增加。

在低噪声放大器中，开关的插入损耗会直接恶化噪声系数，降低系统的接收灵敏度。

发明内容

本发明的实施例提供了一种不需要开关晶元的集成输入射频开关。在采用所述集成输入射频开关的放大器方案中，放大器采用多个驱动级并联，驱动级数量等同于射频输入信号数量，多路驱动级单元和放大级单元设置在同一颗晶元上。通过控制电路选择任一路驱动级电路工作，从而选择任一路射频输入信号进入到放大器。

根据本发明的实施例，提供了一种集成输入射频开关，包括：偏置电路，其被配置为接收偏置信号，以及驱动级单元，其被配置为接收射频输入信号，并且对射频输入信号进行放大，其中，所述偏置电路连接到所述驱动级单元，并且根据偏置信号来控制所述驱动级单元的导通和关断。

根据本发明的实施例，提供了一种集成输入射频开关，其中，所述偏置信号为偏置电压或者偏置电流。

根据本发明的实施例，提供了一种集成输入射频开关，其中，所述集成输入射频开关通过CMOS、BJT、HBT工艺中的一种来实现。

根据本发明的实施例，提供了一种包括集成输入射频开关的放大器，包括：集成输入射频开关，其被配置为接收射频输入信号，以及放大级偏置电路，其被配置为接收放大级偏置信号，以及放大级单元，其被配置为从所述的集成输入射频开关接收信号，并且对从所述集成输入射频开关接收的信号进行放大，其中，所述放大级偏置电路连接到所述放大级单元，并且根据放大级偏置信号来控制所述放大级单元的导通和关断。

根据本发明的实施例，提供了一种包括集成输入射频开关的放大器，其中，所述放大器包括功率放大器。

根据本发明的实施例，提供了一种包括集成输入射频开关的放大器，其中，所述放大器包括低噪声放大器。

根据本发明的实施例，提供了一种包括集成输入射频开关的放大器，其中，所述放大器包括N个集成输入射频开关，其中，N为大于等于2的自然数。

根据本发明的实施例，提供了一种包括集成输入射频开关的放大器，其中，所述放大器还包括：输入匹配模块，其被配置为接收射频输入信号，并且将信号提供给所述集成输入射频开关，级间匹配模块，其被配置为从所述集成输入射频开关接收信号，并且将信号提供给所述放大级单元，以及输出匹配模块，其被配置为从所述放大级单元接收信号，并且提供信号到射频输出端。