[发明专利]用于使用偏振和相位检测光电二极管获得三维形状信息的装置和方法在审
申请号: | 202011562351.3 | 申请日: | 2020-12-25 |
公开(公告)号: | CN113053932A | 公开(公告)日: | 2021-06-29 |
发明(设计)人: | 陈文首;刘关松;任仡奕;彭进宝;B·帕德马纳班;A·博纳克达 | 申请(专利权)人: | 豪威科技股份有限公司 |
主分类号: | H01L27/146 | 分类号: | H01L27/146;H04N13/207 |
代理公司: | 北京律盟知识产权代理有限责任公司 11287 | 代理人: | 刘媛媛 |
地址: | 美国加利*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 用于 使用 偏振 相位 检测 光电二极管 获得 三维 形状 信息 装置 方法 | ||
1.一种图像传感器,包括:
多个光电二极管,所述多个光电二极管布置成光电二极管阵列,其中所述多个光电二极管包含:
第一组光电二极管,所述第一组光电二极管配置为相位检测光电二极管;以及
第二组光电二极管,所述第二组光电二极管配置为偏振检测光电二极管。
2.根据权利要求1所述的图像传感器,其中被配置为相位检测光电二极管的所述第一组光电二极管包含:
至少一个光电二极管正方形组;以及
至少一个微透镜,所述至少一个微透镜布置在所述至少一个光电二极管正方形组中的多于一个的光电二极管上。
3.根据权利要求2所述的图像传感器,其中所述至少一个微透镜被布置在所述至少一个光电二极管正方形组中的所有光电二极管的至少一部分上。
4.根据权利要求3所述的图像传感器,其中所述至少一个光电二极管正方形组包含四个光电二极管、九个光电二极管或十六个光电二极管。
5.根据权利要求2所述的图像传感器,其中所述至少一个微透镜布置在少于所述至少一个光电二极管正方形组的所有光电二极管的光电二极管上。
6.根据权利要求5所述的图像传感器,其中所述至少一个微透镜布置在水平相邻的一对光电二极管上。
7.根据权利要求5所述的图像传感器,其中所述至少一个微透镜布置在竖直相邻的一对光电二极管上。
8.根据权利要求1所述的图像传感器,其中被配置为偏振检测光电二极管的所述第二组光电二极管包含至少一个由四个光电二极管组成的正方形组,并且其中所述图像传感器进一步包括:
至少四个微透镜,每个微透镜布置在所述四个光电二极管中的一个光电二极管上;
与所述四个光电二极管的第一光电二极管相对应的在第一取向上的偏振线;
与所述四个光电二极管的第二光电二极管相对应的在第二取向上的偏振线;
与所述四个光电二极管的第三光电二极管相对应的在第三取向上的偏振线;以及
与所述四个光电二极管的第四光电二极管相对应的在第四取向上的偏振线。
9.根据权利要求1所述的图像传感器,其中被配置为偏振检测光电二极管的所述第二组光电二极管包含至少一个由九个光电二极管组成的正方形组,并且其中所述图像传感器进一步包括:
与所述九个光电二极管中的四个相对应的在第一取向上的偏振线;
与所述九个光电二极管中的两个相对应的在第二取向上的偏振线;
与所述九个光电二极管中的两个相对应的在第三取向上的偏振线;以及
与所述九个光电二极管中的一个相对应的在第四取向上的偏振线。
10.根据权利要求9所述的图像传感器,进一步包括布置在所述至少一个由九个光电二极管组成的正方形组上的至少一个微透镜。
11.根据权利要求9所述的图像传感器,进一步包括布置在所述至少一个由九个光电二极管组成的正方形组上的滤色器。
12.根据权利要求1所述的图像传感器,其中被配置为偏振检测光电二极管的所述第二组光电二极管包含至少一个由十六个光电二极管组成的正方形组,并且其中所述图像传感器进一步包括:
与所述十六个光电二极管中的四个相对应的在第一取向上的偏振线;
与所述十六个光电二极管中的四个相对应的在第二取向上的偏振线;
与所述十六个光电二极管中的四个相对应的在第三取向上的偏振线;以及
与所述十六个光电二极管中的四个相对应的在第四取向上的偏振线。
13.根据权利要求12所述的图像传感器,进一步包括布置在所述至少一个由十六个光电二极管组成的正方形组上的至少一个微透镜。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的