[发明专利]一种改善金属层漏电流的测试方法在审
| 申请号： | 202011561811.0 | 申请日： | 2020-12-25 |
| 公开（公告）号： | CN112701057A | 公开（公告）日： | 2021-04-23 |
| 发明（设计）人： | 陆跃春;徐晓林 | 申请（专利权）人： | 上海华力集成电路制造有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/66 | 分类号： | H01L21/66;G01R31/26;G01R31/52 |
| 代理公司： | 上海浦一知识产权代理有限公司 31211 | 代理人： | 戴广志 |
| 地址： | 201203 上海市浦*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 改善 金属 漏电 测试 方法 | ||
1.一种改善金属层漏电流的测试方法，其特征在于，至少包括：
步骤一、提供测试机台、SMU仪以及包含多个晶圆的一个lot；
步骤二、将所述lot中的其中一片晶圆置于所述测试机台的卡盘上；将所述SMU仪接到所述测试机台端，并且将所述SMU仪的Force line端连接在所述卡盘的上表面；将所述SMU仪的Guard line端连接在所述卡盘的下表面；
步骤三、对步骤二中的所述晶圆中的多个金属层进行漏电流测试，收集所测试的金属层的漏电流数据；
步骤四、重复步骤一至步骤三，对所述lot中每片晶圆进行相应金属层漏电流的测试，收集所述lot中所有晶圆中所测试的相应金属层的漏电流数据；
步骤五、对比所测试的所有晶圆中相同金属层的漏电流数据。
2.根据权利要求1所述的改善金属层漏电流的测试方法，其特征在于：步骤一中的所述测试机台为包含测试漏电流功能的测试机台。
3.根据权利要求1所述的改善金属层漏电流的测试方法，其特征在于：步骤一中的所述一个lot中包含25片晶圆，并且所述25片晶圆从下至上依次叠放。
4.根据权利要求1所述的改善金属层漏电流的测试方法，其特征在于：步骤二中将所述lot中位于最底层的一片晶圆置于所述测试机台的所述卡盘上。
5.根据权利要求1所述的改善金属层漏电流的测试方法，其特征在于：步骤二中将所述lot中位于最上层的一片晶圆置于所述测试机台的所述卡盘上。
6.根据权利要求1所述的改善金属层漏电流的测试方法，其特征在于：步骤三中对所述晶圆中的第一至第四金属层进行漏电流测试。
7.根据权利要求4所述的改善金属层漏电流的测试方法，其特征在于：步骤四中重复步骤一至步骤四，按照所述lot中晶圆从下至上的顺序，对所述lot中每片晶圆的第一至第四金属层的漏电流进行测试。
8.根据权利要求5所述的改善金属层漏电流的测试方法，其特征在于：步骤四中重复步骤一至步骤四，按照所述lot中晶圆从上至下的顺序，对所述lot中每片晶圆的第一至第四金属层的漏电流进行测试。
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H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
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