[发明专利]一种铼基硫氧化物复合纳米材料及其制备方法和应用有效

专利信息
申请号: 202011559866.8 申请日: 2020-12-25
公开(公告)号: CN112760678B 公开(公告)日: 2022-08-02
发明(设计)人: 熊杰;黄建文;杜新川;郭倚天;李瑶瑶;晏超贻;邬春阳;王显福 申请(专利权)人: 电子科技大学
主分类号: C25B11/091 分类号: C25B11/091;C25B1/04
代理公司: 电子科技大学专利中心 51203 代理人: 吴姗霖
地址: 611731 四川省成*** 国省代码: 四川;51
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摘要:
搜索关键词: 一种 铼基硫 氧化物 复合 纳米 材料 及其 制备 方法 应用
【权利要求书】:

1.一种铼基硫氧化物复合纳米材料,其特征在于,所述纳米材料为ReS2纳米片和均匀分布在ReS2纳米片上的ReO3纳米颗粒,其中,ReO3纳米颗粒直径小于200 nm,纳米片状结构的ReS2提供了丰富的比表面积和良好的电子输运能力,原位构建的ReS2/ReO3异质结构复合位点起到增强氧催化反应速率作用。

2.如权利要求1所述的铼基硫氧化物复合纳米材料,其特征在于,所述ReO3纳米颗粒为ReS2片状纳米结构的基础上经氧等离子刻蚀原位生成。

3.一种铼基硫氧化物复合纳米材料的制备方法,其特征在于,包括以下步骤:

步骤1:将铼源和硫源按照摩尔比为1:(5~10)的比例混合,加入去离子水,超声溶解混合均匀后得到前驱体混合溶液,其中,铼源浓度为10~30 mmol/L;

步骤2:将亲水处理后的导电基底放入步骤1配制好的前驱体混合溶液中,超声处理;

步骤3:将步骤2超声处理后得到的浸有导电基底的前驱体溶液转入水热反应釜中进行水热反应,反应结束后自然降温;

步骤4:取出导电基底,清洗、烘干,即可得到负载ReS2纳米片的导电基底;

步骤5:将步骤4中得到的负载ReS2纳米片结构的导电基底进行氧等离子体处理,即可在导电基底上得到铼基硫氧化物复合纳米材料。

4.如权利要求3所述的铼基硫氧化物复合纳米材料的制备方法,其特征在于,步骤1中所述铼源为含ReO4-离子的水溶性盐,硫源为含硫原子的小分子还原剂。

5.如权利要求4所述的铼基硫氧化物复合纳米材料的制备方法,其特征在于,所述含ReO4-离子的水溶性盐为NH4ReO4或NaReO4;所述含硫原子的小分子还原剂为硫脲或硫代乙酰胺。

6.如权利要求3所述的铼基硫氧化物复合纳米材料的制备方法,其特征在于,步骤2所述导电基底为柔性基底或硬质基底。

7.如权利要求3所述的铼基硫氧化物复合纳米材料的制备方法,其特征在于,步骤3中水热反应的条件为190~220℃,反应时间为18~32 h。

8.如权利要求3所述的铼基硫氧化物复合纳米材料的制备方法,其特征在于,步骤4中清洗具体为用酒精、50%酒精和水洗涤2~3次;烘干条件为:在40~70℃真空下烘干。

9.如权利要求3所述的铼基硫氧化物复合纳米材料的制备方法,其特征在于,步骤5中氧等离子体处理的具体参数条件为:等离子体功率为60~150 W,处理时间1~90 s。

10.如权利要求1所述的铼基硫氧化物复合纳米材料作为电解水阴极材料的电化学应用。

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