[发明专利]一种定位镀铝方法

权利要求书

1.一种定位镀铝方法，包括PET基膜，其特征在于：依次包括以下步骤：

步骤一：离型层涂布：通过涂布机的陶瓷网辊均匀的将离型层涂料涂布在PET基膜上，并通过五节箱体的烘箱进行高温烘烤，涂布机的速度为105～115m/min，在每平方PET基膜内所述离型层涂料的涂布量为5.5～6.5g，第一节箱体的温度比第二节箱体的温度低20～25％，第三节箱体的温度比第二节箱体的温度高10～20％，第四节箱体的温度等于第三节箱体的温度，第五节箱体的温度等于第二节箱体的温度，第一节箱体的温度为88～95℃；

步骤二：色层涂布：将颜料均匀的涂布在步骤一涂布后的PET基膜上，并通过五节箱体的烘箱进行高温烘烤，涂布速度为90m/min，在每平方PET基膜内所述颜料的涂布量为1.0～1.3g，第一节箱体的温度比第二节箱体的温度低30～35％，第三节箱体的温度比第二节箱体的温度高20～25％，第四节箱体的温度等于第三节箱体的温度，第五节箱体的温度不大于第二节箱体的温度，第一节箱体的温度为95～105℃；

步骤三：模压：通过模压机将镭射模压版材上的镭射图案压制在步骤二处理后的PET基膜上；

步骤四：真空镀铝：通过真空镀铝机将步骤三处理后的PET基膜上进行镀铝处理，镀铝时将镀介质部分进行隔离处理；

步骤五：背胶层涂布：将背胶层涂料均匀的涂布在步骤四处理后的PET基膜上，并通过五节箱体的烘箱进行高温烘烤，涂布速度为95～105m/min，在每平方PET基膜内所述背胶层涂料的涂布量为1.8～1.9g，第一节箱体的温度比第二节箱体的温度低20～25％，第三节箱体的温度比第二节箱体的温度高10～20％，第四节箱体的温度等于第三节箱体的温度，第五节箱体的温度不大于第二节箱体的温度，第一节箱体的温度为85～95℃；

步骤六：分切：将步骤五处理后的PET基膜进行分切处理。

2.根据权利要求1所述的一种定位镀铝方法，其特征在于：步骤一中的五节箱体的温度分别为90℃、120℃、140℃、140℃、120℃。

3.根据权利要求1所述的一种定位镀铝方法，其特征在于：步骤二中的色层包括底层和顶层，底层涂布时五节箱体的温度分别为98℃、140℃、170℃、170℃、130℃，顶层涂布时五节箱体的温度分别为98℃、145℃、172℃、172℃、130℃。

4.根据权利要求1所述的一种定位镀铝方法，其特征在于：步骤四中通过在镀铝机上安装镀铝挡板来隔离镀介质部分，且镀铝挡板可拆卸的安装在镀铝机上。

5.根据权利要求1所述的一种定位镀铝方法，其特征在于：步骤四中镀在PET基膜上的铝厚度为280～300埃。

6.根据权利要求1所述的一种定位镀铝方法，其特征在于：步骤五中的五节箱体内的温度分别为90℃、125℃、140℃、140℃、110℃。

7.根据权利要求1所述的一种定位镀铝方法，其特征在于：步骤一中的离型层涂料、步骤二中的颜料、步骤五中的背胶层涂料在涂布前均通过200目纱布过滤处理。