[发明专利]一种薄膜铂电阻中阻栅结构的加工方法

权利要求书

1.一种薄膜铂电阻中阻栅结构的加工方法，其特征在于，包括：

在陶瓷基板表面沉积铂薄膜层；

根据预设图案，利用激光在所述铂薄膜层上刻蚀出电阻条之间的间距≤5um的阻栅结构，其中，所述激光的波长为355nm～532nm，激光的脉宽≤10ps。

2.如权利要求1所述的薄膜铂电阻中阻栅结构的加工方法，其特征在于，所述对陶瓷基板进行预处理，获取特定的陶瓷基板表面粗糙度，所述表面粗糙度为1um～3um。

3.如权利要求1所述的薄膜铂电阻中阻栅结构的加工方法，其特征在于，所述在所述陶瓷基板表面沉积铂薄膜层，包括：

在真空环境下以纯度≥99.99％铂金作为靶材，采用溅射沉积的方法在陶瓷基板表面沉积厚度≤10um的铂薄膜层。

4.如权利要求1所述的薄膜铂电阻中阻栅结构的加工方法，其特征在于，所述利用激光在所述铂薄膜层上刻蚀预设图案的阻栅结构，还包括：

调整激光焦距，使陶瓷基板表面处于激光焦点位置，该激光焦点位置误差精度≤0.02mm。

5.如权利要求1～4任意一项所述的薄膜铂电阻中阻栅结构的加工方法，其特征在于，对沉积有铂薄膜层的陶瓷基板进行热处理，热处理的温度控制在350℃～550℃，处理时间可控制在2h～3h。

6.如权利要求5所述的薄膜铂电阻中阻栅结构的加工方法，其特征在于，还包括：

根据所述预设图案在激光设备上设置所述激光的加工参数以及加工路径。

7.如权利要求6所述的薄膜铂电阻中阻栅结构的加工方法，其特征在于，所述激光的加工参数设置包括：设置打标次数为1～10次、Q开关频率为200KHz～1000KHz、扫描填充间距为0.005mm～0.05mm、激光功率为2.4W～5.6W。

8.如权利要求6或7所述的薄膜铂电阻中阻栅结构的加工方法，其特征在于，所述激光设备包括超快激光器和光学元件，其中的光学元件采用3倍～8倍的扩束镜、30mm～70mm的F-θ聚焦镜、以及重复扫描精度≤0.003mm的扫描振镜。

9.如权利要求4所述的薄膜铂电阻中阻栅结构的加工方法，其特征在于，所述利用激光在所述铂薄膜层上刻蚀预设图案的阻栅结构，还包括：

吸附所述激光在刻蚀阻栅结构过程中所产生的粉尘。

10.一种薄膜铂电阻，其特征在于，包括权利要求1～10任意一项所述的薄膜铂电阻中阻栅结构的加工方法。