[发明专利]一种太阳能电池及其制作方法

说明书

本发明公开一种太阳能电池及其制作方法，涉及光伏技术领域，以减少掺杂表面的损伤。该太阳能电池的制作方法包括：提供一硅基底；在硅基底上形成保护膜；在保护膜上形成掺杂源层；掺杂源层为由掺杂剂溶液或掺杂剂浆料形成的掺杂源膜；采用热处理的方式将掺杂源层中的掺杂元素穿过保护膜推进到硅基底中，以对硅基底进行掺杂。本发明提供的太阳能电池及其制作方法用于太阳能电池制造。

技术领域

本发明涉及光伏技术领域，尤其涉及一种太阳能电池及其制作方法。

背景技术

制作太阳能电池的工艺主要包括：制绒、掺杂、清洗、沉积减反射膜、测试、分选等。其中，掺杂工艺可以是在硅基底表面形成掺杂源，然后进行退火推进。

当采用掺杂源涂布推进的方式进行掺杂工艺时，被掺杂表面容易受到损伤，从而影响太阳能电池的性能。

发明内容

本发明的目的在于提供一种太阳能电池及其制作方法，以减少掺杂表面的损伤。

第一方面，本发明提供一种太阳能电池的制作方法。该太阳能电池的制作方法包括：

提供一硅基底；

在硅基底上形成保护膜；

在保护膜上形成掺杂源层；掺杂源层为由掺杂剂溶液或掺杂剂浆料形成的掺杂源膜；

采用热处理的方式将掺杂源层中的掺杂元素穿过保护膜推进到硅基底中，以对硅基底进行掺杂。

采用上述技术方案时，在拟进行掺杂的硅基底上形成保护膜，随后在保护膜上形成掺杂源层。一方面，保护膜可以阻隔掺杂源层和硅基底直接接触，从而可以避免掺杂源层对硅基底的腐蚀、破坏，确保所制作的太阳能电池的性能。另一方面，在热处理工艺将掺杂源层中的掺杂元素推进到硅基底，进行掺杂处理的过程中，掺杂元素先推进到保护膜，随着热处理的持续进行，掺杂元素被推进到硅基底中。此时，保护膜可以容留较多的掺杂元素，避免过多的掺杂元素被推进到硅基底的表面，进而可以降低硅基底掺杂浓度过高的风险，进一步确保所制作的太阳能电池的性能。由此可见，本发明的太阳能电池的制作方法，在掺杂过程中，不仅可以避免掺杂源层对被掺杂表面的腐蚀，而且可以避免掺杂浓度过高的问题，可以容易的形成设定掺杂浓度，确保所制作的太阳能电池的性能。

在一些可能的实现方式中，上述保护膜为本征半导体膜。本征半导体膜不含掺杂元素，在对硅基底进行掺杂的过程中，本征半导体膜可以容留较多的掺杂元素，从而起到较好的保护硅基底的作用。

在一些可能的实现方式中，上述保护膜的材料包括硅、碳化硅、锗中的至少一种。此时，保护膜的材料与硅基底的材料均为半导体材料，两者材料性质相似，掺杂过程较为相似，无需改变掺杂工艺，从而可以降低工艺改进所增加的成本。

在一些可能的实现方式中，上述保护膜的材料包括非晶半导体材料、多晶半导体材料、纳米晶半导体材料、微晶半导体材料中的至少一种。此时，可以根据需要实现的保护效果，以及不同材料的掺杂性质，选择一种或多种半导体材料。

在一些可能的实现方式中，上述保护膜的形成工艺包括低压化学气相沉积工艺、常压化学气相沉积工艺、增强型等离子体化学气相沉积工艺、热丝化学气相沉积工艺、磁控溅射中的任一种。

在一些可能的实现方式中，上述掺杂剂溶液含有乙醇。乙醇的质量分数为2％～30％；掺杂源层的形成方式为涂覆方式。乙醇不仅可以起到稀释掺杂剂，调节浓度的作用，而且当掺杂剂溶液涂覆到硅基底上时，乙醇容易挥发的性质，可以方便的实现对掺杂剂溶液的固化成型，使得掺杂剂溶液能够快速的形成掺杂源层。

在一些可能的实现方式中，上述掺杂剂浆料含有的掺杂剂质量分数为0.01％～10％。掺杂源层的形成方式为涂布方式、印刷方式、转印方式中至少一种。浆料形态的掺杂剂浆料不仅具有较好的流动性，而且具有较好的成型性，从而可以较好的形成均匀的掺杂源层。