[发明专利]太阳电池及电池组件有效
| 申请号： | 202011555929.2 | 申请日： | 2020-12-24 |
| 公开（公告）号： | CN112786719B | 公开（公告）日： | 2022-10-04 |
| 发明（设计）人： | 吴兆;徐琛;李子峰;解俊杰 | 申请（专利权）人： | 隆基绿能科技股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L31/0352 | 分类号： | H01L31/0352;H01L31/0236;H01L31/068 |
| 代理公司： | 北京润泽恒知识产权代理有限公司 11319 | 代理人： | 赵娟 |
| 地址： | 710100 陕西*** | 国省代码： | 陕西;61 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 太阳电池 电池 组件 | ||
1.一种太阳电池，其特征在于，包括PN结，所述PN结由基体层以及反型层形成，所述基体层与所述反型层的掺杂类型不同；
所述反型层具有第一重掺杂区域，所述第一重掺杂区域从所述反型层远离所述基体层的一侧向所述反型层内延伸，所述第一重掺杂区域与所述反型层的掺杂类型相同；
沿远离所述基体层的方向，所述反型层与所述第一重掺杂区域的厚度差为1-100nm；
室温Tm下，所述第一重掺杂区域形成弱简并或简并半导体，所述反型层的其余部分和所述基体层均为非简并半导体，所述弱简并或简并半导体设置为，费米能级与n型半导体的导带底或p型半导体的导带顶的能级差小于2kB×Tm。
2.根据权利要求1所述的太阳电池，其特征在于，所述第一重掺杂区域在所述基体层的向光面的投影面积，占所述反型层在所述基体层的向光面的投影面积的1％-50％。
3.根据权利要求1所述的太阳电池，其特征在于，所述第一重掺杂区域在所述基体层的向光面的投影为点状或线状图案。
4.根据权利要求1所述的太阳电池，其特征在于，所述基体层的材料选自：晶体硅；
所述反型层的材料选自：晶体硅、非晶硅、过渡金属氧化物半导体材料、III-V半导体材料中的至少一种；
所述第一重掺杂区域的材料选自：晶体硅、非晶硅、过渡金属氧化物半导体材料、III-V半导体材料中的至少一种。
5.根据权利要求1-4中任一所述的太阳电池，其特征在于，所述反型层设置在所述基体层一侧的整个区域；
所述太阳电池还包括：第一电极和第二电极，所述第一电极设置在所述第一重掺杂区域上，所述第二电极设置在所述基体层上。
6.根据权利要求1-4中任一所述的太阳电池，其特征在于，
所述基体层的一侧区分为第一区域和第二区域；
所述反型层设置在所述基体层的一侧的第一区域内；
所述太阳电池还包括：第二重掺杂区域，所述第二重掺杂区域位于所述第二区域内；
所述第二重掺杂区域与所述基体层的掺杂类型相同，且掺杂浓度大于所述基体层；
所述太阳电池还包括：第一电极和第二电极，所述第一电极设置在所述第一重掺杂区域上，所述第二电极设置在所述第二重掺杂区域上。
7.根据权利要求6所述的太阳电池，其特征在于，所述太阳电池还包括阻断结构，所述阻断结构位于第二重掺杂区域与所述反型层之间。
8.根据权利要求7所述的太阳电池，其特征在于，所述阻断结构为绝缘间隙，或，所述阻断结构由电介质材料形成。
9.一种电池组件，其特征在于，包括：权利要求1至权利要求8中任一所述的太阳电池。
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射，或微粒辐射敏感的，并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件；专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的，例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的，一个或多个电光源，如场致发光光源在结构上相连的，并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
