[发明专利]钙钛矿电池的电子传输层及其制备方法、钙钛矿电池有效
| 申请号： | 202011554978.4 | 申请日： | 2020-12-24 |
| 公开（公告）号： | CN112687802B | 公开（公告）日： | 2021-11-05 |
| 发明（设计）人： | 林方兴;张婧;徐丽丽;何贵福;任喜晶;吴巧芸;宗冰 | 申请（专利权）人： | 亚洲硅业（青海）股份有限公司;青海省亚硅硅材料工程技术有限公司 |
| 主分类号： | H01L51/42 | 分类号： | H01L51/42;H01L51/44;H01L51/48 |
| 代理公司： | 成都华风专利事务所(普通合伙) 51223 | 代理人： | 张巨箭 |
| 地址： | 810007 青海*** | 国省代码： | 青海;63 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 钙钛矿 电池 电子 传输 及其 制备 方法 | ||
1.一种钙钛矿电池的电子传输层制备方法，其特征在于：所述方法包括：
将有机胶体稀释液旋涂于玻璃基底上，软烘后高温热解得到透明碳薄膜电极；
将受体分子重氮盐溶于无水乙腈中，得到受体分子重氮盐的乙腈溶液；
将透明碳薄膜电极置入受体分子重氮盐的乙腈溶液中并进行电化学反应，透明碳薄膜电极表面形成致密分子层，将完全覆盖碳薄膜电极的致密分子层作为电子传输层，进而高效提取钙钛矿吸光层中的光生电子，减少空穴-电子在界面处的复合；
所述透明碳薄膜电极的厚度为10～100nm；透明碳薄膜电极SP3/SP2为0.2～0.45，透明碳薄膜电极O/C为2％～5％；
所述受体分子为正己基萘二酰亚胺或3,4,9,10-苝四酸二酐；受体分子的厚度为5～30nm。
2.根据权利要求1所述钙钛矿电池的电子传输层制备方法，其特征在于：所述有机胶体采用MEGSPOSI SPR220 i-LINE系列光刻胶，旋涂厚度为1～5μm。
3.根据权利要求1所述的一种钙钛矿电池的电子传输层制备方法，其特征在于：所述有机胶体稀释液的稀释浓度为10％～30％；有机胶体稀释液旋涂转速为3000～6000rpm。
4.根据权利要求1所述钙钛矿电池的电子传输层制备方法，其特征在于：所述热解温度为600～1100℃，热解时间为0.5～1.5h。
5.根据权利要求1所述钙钛矿电池的电子传输层制备方法，其特征在于：所述受体分子重氮盐的乙腈溶液中受体分子重氮盐浓度0.5mM～1mM。
6.根据权利要求1所述钙钛矿电池的电子传输层制备方法，其特征在于：所述电化学反应采用循环伏安法进行扫描，扫描范围0.4～(-0.4)V vs.Ag/Ag+；扫描速率0.1～0.5V/s。
7.一种钙钛矿电池的电子传输层，其特征在于：包括权利要求1-6任意一项所述钙钛矿电池的电子传输层制备方法制备的电子传输层。
8.一种钙钛矿电池，其特征在于：包括权利要求1-5任意一项所述钙钛矿电池的电子传输层制备方法制备的透明碳薄膜电极，以及权利要求1-6任意一项所述钙钛矿电池的电子传输层制备方法制备的电子传输层。
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L51-00 使用有机材料作有源部分或使用有机材料与其他材料的组合作有源部分的固态器件；专门适用于制造或处理这些器件或其部件的工艺方法或设备
H01L51-05 .专门适用于整流、放大、振荡或切换且并具有至少一个电位跃变势垒或表面势垒的；具有至少一个电位跃变势垒或表面势垒的电容器或电阻器
H01L51-42 .专门适用于感应红外线辐射、光、较短波长的电磁辐射或微粒辐射；专门适用于将这些辐射能转换为电能，或者适用于通过这样的辐射进行电能的控制
H01L51-50 .专门适用于光发射的，如有机发光二极管
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