[发明专利]一种IV-VI族半导体薄膜及其制备方法

权利要求书

1.一种IV-VI族半导体薄膜的制备方法，其特征在于，包括：

(1)将A和B混合后加入C溶液得到前驱体溶液，A为醋酸铅或者氯化铅，B为硫脲或者硒脲，C为二甲基甲酰胺；

(2)将所述前驱体溶液旋涂在衬底上，烘干得到前驱体溶质；

(3)用红外激光器照射所述前驱体溶质，利用红外激光的热效应，使所述前驱体溶质吸收红外激光的瞬时热量达到其分子解离能，进而使所述前驱体溶质发生分解反应生成IV-VI族半导体薄膜沉积在衬底上；其中，所述红外激光器输出功率为15W～18W、扫描速度为5～20mm/s、线间距为0.01～0.1mm，照射在真空环境或者惰性气氛下进行。

2.如权利要求1所述的一种IV-VI半导体薄膜的制备方法，其特征在于，所述步骤(1)包括：

将A和B混合后加入C溶液，密闭磁力搅拌1～2小时、反应温度为40℃～80℃、磁力搅拌转速为1000～1800rpm，得到前驱体溶液；其中，A为醋酸铅或者氯化铅，B为硫脲或者硒脲，C为二甲基甲酰胺。

3.如权利要求2所述的一种IV-VI族半导体薄膜的制备方法，其特征在于，所述步骤(2)包括：

用移液枪吸取100ul～200ul的前驱体溶液滴在衬底上，用1500～3000rpm的转速旋涂30～60s，在50～100℃下烘干1～5min，得到前驱体溶质。

4.如权利要求1至3任一项所述的一种IV-VI族半导体薄膜的制备方法，其特征在于，所述红外激光器为固体红外激光器或光纤红外激光器。

5.如权利要求1至3任一项所述的一种IV-VI族半导体薄膜的制备方法，其特征在于，所述红外激光器的扫描方式为线扫描或面扫描。

6.如权利要求1至3任一项所述的一种IV-VI族半导体薄膜的制备方法，其特征在于，所述衬底为SiO₂/Si、陶瓷片、或聚酰亚胺。

7.如权利要求1所述的一种IV-VI族半导体薄膜的制备方法，其特征在于，所述衬底为SiO₂/Si时，所述SiO₂/Si基片的氧化层厚度为50nm～300nm。

8.一种IV-VI族半导体薄膜，其特征在于，所述IV-VI族半导体薄膜由权利要求1至7任一项所述的方法制备得到。