[发明专利]一种三维存储器的制造方法

说明书

本申请实施例公开了一种三维存储器的制造方法，所述方法包括：提供包括交替堆叠的第一绝缘层和第一牺牲层的叠层结构；所述叠层结构的至少一侧形成为台阶区域，所述台阶区域包括多层台阶；所述台阶的顶面曝露所述第一牺牲层；通入第一气体，以使所述第一气体中的抑制元素附着在所述台阶的顶面上；所述抑制元素用于抑制第二绝缘材料的形成；沉积所述第二绝缘材料，以形成至少覆盖所述台阶的侧壁的第二绝缘层；沉积第二牺牲材料，刻蚀去除位于所述第二绝缘层表面的第二牺牲材料，保留位于所述台阶顶面的第二牺牲材料作为第二牺牲层，所述第二牺牲层至少与所述台阶顶面曝露的第一牺牲层接触。

技术领域

本申请实施例涉及半导体制造领域，特别涉及一种三维存储器的制造方法。

背景技术

随着半导体技术的不断发展，目前存储器制造技术已经逐步从简单的平面结构过渡到较为复杂的三维结构，通过将存储器单元三维地布置在衬底之上来提高集成密度。这种三维存储器件的技术研发是国际研发的主流之一。

在三维存储器件的制造过程中，需要在叠层结构中的台阶区域的各级台阶上刻蚀形成接触孔，然后填充接触孔，从而引出栅极的电信号。然而，在接触孔刻蚀过程中，极易造成栅极击穿，使得接触孔穿过两层栅极之间的绝缘层。这可能会造成电短路的风险。

发明内容

有鉴于此，本申请实施例为解决现有技术中存在的至少一个问题而提供一种三维存储器的制造方法。

为达到上述目的，本申请实施例的技术方案是这样实现的：

本申请实施例提供一种三维存储器的制造方法，所述方法包括：

提供包括交替堆叠的第一绝缘层和第一牺牲层的叠层结构；所述叠层结构的至少一侧形成为台阶区域，所述台阶区域包括多层台阶；所述台阶的顶面曝露所述第一牺牲层；

通入第一气体，以使所述第一气体中的抑制元素附着在所述台阶的顶面上；所述抑制元素用于抑制第二绝缘材料的形成；

沉积所述第二绝缘材料，以形成至少覆盖所述台阶的侧壁的第二绝缘层；

沉积第二牺牲材料，刻蚀去除位于所述第二绝缘层表面的第二牺牲材料，保留位于所述台阶顶面的第二牺牲材料作为第二牺牲层，所述第二牺牲层至少与所述台阶顶面曝露的第一牺牲层接触。

在一种可选的实施方式中，形成至少覆盖所述台阶的侧壁的第二绝缘层的具体步骤包括：

交替执行通入第一气体的步骤和沉积所述第二绝缘材料的步骤，直到得到预设厚度的第二绝缘层。

在一种可选的实施方式中，所述通入第一气体的步骤和沉积所述第二绝缘材料的步骤在同一反应腔室进行。

在一种可选的实施方式中，所述沉积第二牺牲材料之前，所述方法还包括：

对所述第二绝缘层进行刻蚀，曝露所述台阶顶面的第一牺牲层，并保留覆盖所述台阶的侧壁的第二绝缘层。

在一种可选的实施方式中，所述对所述第二绝缘层进行刻蚀，包括：

通过刻蚀气体对所述第二绝缘层进行刻蚀；

所述刻蚀气体包括：N₂O、N₂、Ar或O₂。

在一种可选的实施方式中，刻蚀去除位于所述第二绝缘层表面的第二牺牲层的步骤中采用的刻蚀液体为稀氢氟酸；所述稀氢氟酸的配置比例为氢氟酸：去离子水＝1:100～1:200。

在一种可选的实施方式中，第一气体为含氟气体；

所述抑制元素为氟元素。

在一种可选的实施方式中，所述含氟气体包括NF₃、SF₆或CF₄。