[发明专利]一种负压电荷泵的放电电路及非易失型储存器有效

专利信息
申请号: 202011552574.1 申请日: 2020-12-24
公开(公告)号: CN112600410B 公开(公告)日: 2022-01-04
发明(设计)人: 徐明揆;吴彤彤;刘梦 申请(专利权)人: 芯天下技术股份有限公司
主分类号: H02M3/07 分类号: H02M3/07;H02J7/00
代理公司: 佛山市海融科创知识产权代理事务所(普通合伙) 44377 代理人: 陈志超;唐敏珊
地址: 518000 广东省深圳市龙岗区园山街*** 国省代码: 广东;44
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摘要:
搜索关键词: 一种 压电 放电 电路 非易失型 储存器
【权利要求书】:

1.一种负压电荷泵的放电电路,其特征在于,包括互相连接的负压电荷泵放电电路本体和恒流放电电路;在负压电荷泵初始放电阶段,通过恒流放电电路使负压电荷泵以恒定的电流放电,在负压电荷泵的输出电压VEE1放电下降到某一限定电压后,使负压电荷泵切换到负压电荷泵放电电路本体进行放电;

所述负压电荷泵放电电路本体包括电平转换模块Level shifter1、放电晶体管nm01和电容Cload,所述电平转换模块Level shifter1连接使能信号EN1,电平转换模块Levelshifter1连接电源电压VCC1,电平转换模块levelshifter连接负压电荷泵的输出电压VEE1,电平转换模块level shifter1与放电晶体管nm01的栅极连接,放电晶体管nm01的漏极与恒流放电电路连接,放电晶体管nm01的源极与负压电荷泵的输出电压VEE1连接,放电晶体管nm01的源极与电容Cload一端连接,电容Cload另一端接地;

所述恒流放电电路包括为放电通路提供恒定电流的第一电流镜、第二电流镜、第三电流镜和第四电流镜;

所述第一电流镜为第二nmos管nm2,第二电流镜为第三nmos管nm3,第三电流镜为第三pmos管pm3,第四电流镜为第二pmos管pm2;所述第二pmos管pm2的漏极与放电晶体管nm01的漏极连接,第二pmos管pm2的源极与第三pmos管pm3的源极均连接电源电压VCC1,第二pmos管pm2的栅极与第三pmos管pm3的栅极连接,第三pmos管pm3的漏极与第三pmos管pm3的栅极连接在一起后与第三nmos管nm3的漏极连接,第三nmos管nm3的源极与第二nmos管nm2的源极均接地,第二nmos管nm2的栅极与第三nmos管nm3的栅极连接,第二nmos管nm2的栅极与第二nmos管nm2的漏极连接在一起后连接恒定电流源I0。

2.根据权利要求1所述的负压电荷泵的放电电路,其特征在于,所述恒流放电电路还包括用于减小第二pmos管pm2和放电晶体管nm01之间的压差的压差减少模块。

3.根据权利要求2所述的负压电荷泵的放电电路,其特征在于,所述压差减少模块包括第一nmos管nm1、第二电阻R1、第一pmos管pm1和第一电阻R0,所述第一nmos管nm1的源极和体极均与负压电荷泵放电电路本体连接,第一nmos管nm1的栅极与第一pmos管pm1的栅极连接在一起后与第一电阻R0的一端连接,第一电阻R0另一端接地,第一nmos管nm1的漏极与第二电阻R1一端连接,第二电阻R1另一端与第一pmos管pm1的漏极连接,第一pmos管pm1的源极与第二pmos管pm2的漏极连接。

4.根据权利要求1所述的负压电荷泵的放电电路,其特征在于,所述恒流放电电路还包括第四pmos管pm4,所述第二nmos管nm2的栅极与第二nmos管nm2的漏极连接在一起后与第四pmos管pm4的漏极连接,第四pmos管pm4的栅极连接使能信号EN1,第四pmos管pm4的源极连接恒定电流源I0。

5.一种非易失型储存器,其特征在于,包括如权利要求1至4任一所述的负压电荷泵的放电电路。

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