[发明专利]量子点发光二极管底电极及其制备方法在审

专利信息
申请号: 202011550009.1 申请日: 2020-12-24
公开(公告)号: CN114665038A 公开(公告)日: 2022-06-24
发明(设计)人: 敖资通;严怡然;张建新;杨帆;赖学森;洪佳婷 申请(专利权)人: TCL科技集团股份有限公司
主分类号: H01L51/52 分类号: H01L51/52;H01L51/50;H01L51/56
代理公司: 深圳中一联合知识产权代理有限公司 44414 代理人: 郝文婷
地址: 516006 广东省惠州市*** 国省代码: 广东;44
权利要求书: 查看更多 说明书: 查看更多
摘要:
搜索关键词: 量子 发光二极管 电极 及其 制备 方法
【权利要求书】:

1.一种量子点发光二极管底电极的制备方法,其特征在于,包括如下步骤:

提供基板,在所述基板表面制备反射层;

在所述反射层背离所述基板的表面制备电极层,对所述电极层进行结晶化处理和刻蚀处理,得到量子点发光二极管底电极。

2.根据权利要求1所述量子点发光二极管底电极的制备方法,其特征在于,所述结晶化处理为电子束扫描处理或激光辐照处理。

3.根据权利要求2所述量子点发光二极管底电极的制备方法,其特征在于,所述电子束扫描处理中,电子束斑平均功率为103-104W/cm2,采用电子束扫描时间为10-1-10-2秒,电子束的加速电压为1×102-1×103V;和/或

所述激光辐照处理中,激光波长为900-1053纳米,出光直径为2-3毫米,脉冲宽度为100-120飞秒,重复频率为1-1.5千赫,光束质量因子为1-1.2。

4.根据权利要求3所述量子点发光二极管底电极的制备方法,其特征在于,所述电子束扫描处理的重复次数为10-20次,间隔时间为2-5秒;

所述激光辐照处理的重复次数为10-20次,间隔时间为2-5秒。

5.根据权利要求1-4任一项所述量子点发光二极管底电极的制备方法,其特征在于,所述刻蚀处理的方法为湿法刻蚀。

6.根据权利要求5所述量子点发光二极管底电极的制备方法,其特征在于,所述湿法刻蚀中,以刻蚀液的总质量为100%计,包括如下按照质量百分数计的组分:

7.根据权利要求6所述量子点发光二极管底电极的制备方法,其特征在于,所述湿法刻蚀的时间为10-15秒。

8.根据权利要求1-4任一项所述量子点发光二极管底电极的制备方法,其特征在于,用于制备所述反射层的材料包括铝、银、金、铜中的至少一种;和/或

所述反射层的厚度为100-150纳米;和/或

所述电极层的厚度为5-20纳米。

9.一种量子点发光二极管底电极,其特征在于,所述量子点发光二极管底电极由权利要求1-8任一项所述量子点发光二极管底电极的制备方法制备得到。

10.一种顶发射量子点发光二极管,包括相对设置的底电极和顶电极,以及层叠设置在所述底电极和所述顶电极之间的空穴功能层、量子点发光层和电子功能层,其特征在于,所述底电极为权利要求1-8任一项所述量子点发光二极管底电极的制备方法制备得到的量子点发光二极管底电极,或权利要求9所述的量子点发光二极管底电极。

下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。

该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于TCL科技集团股份有限公司,未经TCL科技集团股份有限公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服

本文链接:http://www.vipzhuanli.com/pat/books/202011550009.1/1.html,转载请声明来源钻瓜专利网。

×

专利文献下载

说明:

1、专利原文基于中国国家知识产权局专利说明书;

2、支持发明专利 、实用新型专利、外观设计专利(升级中);

3、专利数据每周两次同步更新,支持Adobe PDF格式;

4、内容包括专利技术的结构示意图流程工艺图技术构造图

5、已全新升级为极速版,下载速度显著提升!欢迎使用!

请您登陆后,进行下载,点击【登陆】 【注册】

关于我们 寻求报道 投稿须知 广告合作 版权声明 网站地图 友情链接 企业标识 联系我们

钻瓜专利网在线咨询

周一至周五 9:00-18:00

咨询在线客服咨询在线客服
tel code back_top