[发明专利]量子点发光二极管底电极及其制备方法

权利要求书

1.一种量子点发光二极管底电极的制备方法，其特征在于，包括如下步骤：

提供基板，在所述基板表面制备反射层；

在所述反射层背离所述基板的表面制备电极层，对所述电极层进行结晶化处理和刻蚀处理，得到量子点发光二极管底电极。

2.根据权利要求1所述量子点发光二极管底电极的制备方法，其特征在于，所述结晶化处理为电子束扫描处理或激光辐照处理。

3.根据权利要求2所述量子点发光二极管底电极的制备方法，其特征在于，所述电子束扫描处理中，电子束斑平均功率为10³-10⁴W/cm²，采用电子束扫描时间为10^-1-10^-2秒，电子束的加速电压为1×10²-1×10³V；和/或

所述激光辐照处理中，激光波长为900-1053纳米，出光直径为2-3毫米，脉冲宽度为100-120飞秒，重复频率为1-1.5千赫，光束质量因子为1-1.2。

4.根据权利要求3所述量子点发光二极管底电极的制备方法，其特征在于，所述电子束扫描处理的重复次数为10-20次，间隔时间为2-5秒；

所述激光辐照处理的重复次数为10-20次，间隔时间为2-5秒。

5.根据权利要求1-4任一项所述量子点发光二极管底电极的制备方法，其特征在于，所述刻蚀处理的方法为湿法刻蚀。

6.根据权利要求5所述量子点发光二极管底电极的制备方法，其特征在于，所述湿法刻蚀中，以刻蚀液的总质量为100％计，包括如下按照质量百分数计的组分：

7.根据权利要求6所述量子点发光二极管底电极的制备方法，其特征在于，所述湿法刻蚀的时间为10-15秒。

8.根据权利要求1-4任一项所述量子点发光二极管底电极的制备方法，其特征在于，用于制备所述反射层的材料包括铝、银、金、铜中的至少一种；和/或

所述反射层的厚度为100-150纳米；和/或

所述电极层的厚度为5-20纳米。

9.一种量子点发光二极管底电极，其特征在于，所述量子点发光二极管底电极由权利要求1-8任一项所述量子点发光二极管底电极的制备方法制备得到。

10.一种顶发射量子点发光二极管，包括相对设置的底电极和顶电极，以及层叠设置在所述底电极和所述顶电极之间的空穴功能层、量子点发光层和电子功能层，其特征在于，所述底电极为权利要求1-8任一项所述量子点发光二极管底电极的制备方法制备得到的量子点发光二极管底电极，或权利要求9所述的量子点发光二极管底电极。