[发明专利]一种使用电阻阵列的恒振幅压控振荡器

权利要求书

1.一种使用电阻阵列的恒振幅压控振荡器，其特征在于，所述振荡器包括：振荡核心电路(101)、第一开关电阻阵列(102)、第二开关电阻阵列(103)、振幅检测电路(104)、控制字产生电路(105)以及反相器(106)；

所述振荡核心电路(101)分别与所述第一开关电阻阵列(102)、第二开关电阻阵列(103)、振幅检测电路(104)连接；

所述控制字产生电路(105)分别与所述反相器(106)、第二开关电阻阵列(103)、振幅检测电路(104)连接；

所述反相器(106)与所述第一开关电阻阵列(102)连接；

所述振荡核心电路(101)用于产生并输出振荡信号VON和VOP；

所述振幅检测电路(104)用于根据所述输出振荡信号VON和VOP产生峰值电压VP，并根据所述峰值电压VP和预先设定的参考电压VREF输出相应的电平；

所述控制字产生电路(105)为数字时序逻辑电路，用于根据当前电路的逻辑状态和所述振幅检测电路(104)的输出电平产生n位控制字(501)；

所述反相器(106)用于将n位控制字(501)转换成相应的n位控制字反相信号(502)；

所述第二开关电阻阵列(103)用于根据所述n位控制字(501)关断或开启所述第二开关电阻阵列(103)中相应的NMOS晶体管；

所述第一开关电阻阵列(102)用于根据与所述n位控制字(501)对应的n位控制字反相信号(502)关断或开启所述第一开关电阻阵列(102)中相应的PMOS晶体管。

2.根据权利要求1所述的恒振幅压控振荡器，其特征在于，

所述振荡核心电路(101)包括：NMOS晶体管M1、NMOS晶体管M2、PMOS晶体管M3、PMOS晶体管M4、谐振电感(601)、谐振电容(602)；

其中，所述谐振电感(601)的第一端与所述谐振电容(602)的第一端连接；

所述谐振电感(601)的第二端与所述谐振电容(602)的第二端连接；

所述PMOS晶体管M3的漏极和所述PMOS晶体管M4的栅极与所述谐振电容(602)的第一端连接；

所述PMOS晶体管M4的漏极和所述PMOS晶体管M3的栅极与所述谐振电容(602)的第二端连接；

所述PMOS晶体管M4的源极和所述PMOS晶体管M3的源极连接；

所述NMOS晶体管M1的漏极和所述NMOS晶体管M2的栅极与所述谐振电感(601)的第一端连接；

所述NMOS晶体管M1的栅极和所述NMOS晶体管M2的漏极与所述谐振电感(601)的第二端连接；

所述NMOS晶体管M1的源极和所述NMOS晶体管M2的源极连接；

所述控制谐振电容(602)与输入电压VC连接。

3.根据权利要求1所述的恒振幅压控振荡器，其特征在于，

所述第一开关电阻阵列(102)包括：并联的n+1路第一开关电阻支路；

其中每路所述第一开关电阻支路的一端与电源端VDD连接，另一端与所述振荡核心电路(101)的A端连接；

其中，所述振荡核心电路(101)的A端为所述PMOS晶体管M4的源极或所述PMOS晶体管M3的源极；

每路所述第一开关电阻支路包括：依次连接的PMOS晶体管(201)和电阻Rp(202)；

其中，所述n+1路第一开关电阻支路中的第一路第一开关支路中的PMOS晶体管保持常开启；

所述n+1路第一开关电阻支路中的n路第一开关支路的PMOS晶体管由对应的n位控制字反相信号(502)控制开启或关断。