[发明专利]制造具有无掺杂沟道的MOSFET的方法

权利要求书

1.一种制造具有无掺杂沟道的MOSFET的方法，所述方法包括：

在衬底上制造具有伪多晶硅栅极、伪层间(IL)氧化物和掺杂沟道的半导体结构；

去除所述伪多晶硅栅极以及部分所述伪层间氧化物以形成孔洞，所述孔洞暴露所述掺杂沟道；

所述伪层间氧化物的位于所述孔洞的侧壁以及底部上的部分被保留，以保留的伪层间氧化物作为掩模从所述衬底上的区域去除所述掺杂沟道；

移除所述保留的伪层间氧化物；

在所述衬底上的所述区域处形成用于所述半导体结构的无掺杂沟道，其中，所述无掺杂沟道直接位于所述衬底中的掺杂阱上方；以及

形成用于所述半导体结构的金属栅极，

其中，所述去除所述伪层间氧化物包括在去除所述掺杂沟道之前和之后均执行蚀刻操作，

其中，所述无掺杂沟道具有倾斜侧壁，并且所述无掺杂沟道的宽度在远离所述衬底的方向上逐渐增大。

2.根据权利要求1所述的制造具有无掺杂沟道的MOSFET的方法，其中，所述去除所述伪多晶硅栅极包括干法和湿法蚀刻操作以将所述伪多晶硅栅极去除。

3.根据权利要求1所述的制造具有无掺杂沟道的MOSFET的方法，其中，所述去除所述伪层间氧化物包括干法蚀刻操作以将所述伪层间氧化物去除。

4.根据权利要求1所述的制造具有无掺杂沟道的MOSFET的方法，其中，所述去除所述掺杂沟道包括对所述衬底进行各向异性蚀刻操作。

5.根据权利要求1所述的制造具有无掺杂沟道的MOSFET的方法，其中，形成无掺杂沟道包括采用外延工艺来生长所述无掺杂沟道。

6.根据权利要求1所述的制造具有无掺杂沟道的MOSFET的方法，还包括通过对所述无掺杂沟道采用湿化学法在所述无掺杂沟道上方生长层间氧化物。

7.一种将半导体结构中的衬底上的掺杂沟道替换为无掺杂沟道的方法，所述方法包括：

去除伪多晶硅栅极和部分的伪层间(IL)氧化物以形成孔洞,所述孔洞暴露所述掺杂沟道；

所述伪层间氧化物的位于所述孔洞的侧壁以及底部上的部分被保留，以保留的伪层间氧化物作为掩模从所述衬底上的区域去除所述掺杂沟道；

移除所述保留的伪层间氧化物；以及

在所述衬底上的所述区域处生长用于所述半导体结构的无掺杂沟道，其中，所述无掺杂沟道直接位于所述衬底中的掺杂阱上方，

其中，所述去除伪层间氧化物包括在去除所述掺杂沟道之前和之后均执行蚀刻操作，

其中，所述无掺杂沟道具有倾斜侧壁，并且所述无掺杂沟道的宽度在远离所述衬底的方向上逐渐增大。

8.根据权利要求7所述的将半导体结构中的衬底上的掺杂沟道替换为无掺杂沟道的方法，其中，所述去除伪多晶硅栅极包括干法和湿法蚀刻操作以将所述伪多晶硅栅极去除。

9.根据权利要求7所述的将半导体结构中的衬底上的掺杂沟道替换为无掺杂沟道的方法，其中，所述去除伪层间氧化物包括干法蚀刻操作以将所述伪层间氧化物去除。

10.一种形成于衬底中的掺杂阱上方并且具有无掺杂沟道区域的半导体结构，所述半导体结构包括：

位于衬底中的源极和漏极区域；

直接位于所述衬底中的掺杂阱上方的无掺杂沟道区域，所述无掺杂沟道区域连接于所述源极和漏极区域之间；以及

制造于所述无掺杂沟道区域上方的栅极叠层；

其中，所述无掺杂沟道区域通过去除伪多晶硅栅极和伪层间(IL)氧化物以暴露所述掺杂阱中的掺杂沟道区域、从所述衬底去除所述掺杂沟道区域、以及在所述掺杂阱中生长无掺杂沟道区域以替换所述掺杂沟道区域而形成，并且所述无掺杂沟道区域横向延伸超出所述伪多晶硅栅极，

其中，所述伪层间氧化物通过在去除所述掺杂沟道区域之前和之后均执行蚀刻操作去除，

其中，所述无掺杂沟道区域具有倾斜侧壁，并且所述无掺杂沟道区域的宽度在远离所述衬底的方向上逐渐增大。