[发明专利]一种电化学制备自支撑MXene-ZIF-8复合膜的方法

权利要求书

1.一种电化学制备自支撑MXene-ZIF-8复合膜的方法，其特征在于，包括以下步骤：

(1)将导电基板置于MXene纳米片溶液进行电泳沉积，干燥后获得覆盖MXene膜的导电基板；

(2)将步骤(1)中所述的覆盖MXene膜的导电基板置于ZIF-8晶体生长溶液中，在覆盖MXene膜的导电基板上通电进行ZIF-8层的生长，得到覆盖MXene-ZIF-8膜的导电基板；

(3)对步骤(2)所述覆盖MXene-ZIF-8膜的导电基板进行干燥处理后，直接揭下得到自支撑MXene-ZIF-8复合膜；

步骤(1)中所述MXene纳米片溶液的浓度为0.1～10mg·L^-1；

步骤(2)中所述的ZIF-8晶体生长溶液为醋酸锌和2-甲基咪唑的甲醇或乙醇溶液；

步骤(2)中所述的ZIF-8晶体生长溶液中2-甲基咪唑的浓度为0.01～0.5mol·L^-1，所述醋酸锌与2-甲基咪唑的摩尔浓度比为(0.1～2):1。

2.根据权利要求1所述的电化学制备自支撑MXene-ZIF-8复合膜的方法，其特征在于，步骤(1)中所述的导电基板是指表面平滑的导电基板。

3.根据权利要求1所述的电化学制备自支撑MXene-ZIF-8复合膜的方法，其特征在于，步骤(1)中所述的电泳沉积是将导电基板和对电极插入MXene纳米片溶液中，所述电泳沉积的电压为2V～30V的直流电压，所述电泳沉积的时间为10s～10min。

4.根据权利要求1所述的电化学制备自支撑MXene-ZIF-8复合膜的方法，其特征在于，步骤(1)中所述的干燥为真空干燥，干燥的温度为25℃～200℃，干燥的时间为12～48h。

5.根据权利要求1所述的电化学制备自支撑MXene-ZIF-8复合膜的方法，其特征在于，步骤(2)所述的通电生长的条件为：以覆盖有MXene膜的导电基板为工作电极，施加0.5mA～10mA的直流电流，生长的时间为5min～60min。

6.根据权利要求1所述的电化学制备自支撑MXene-ZIF-8复合膜的方法，其特征在于，步骤(3)中所述的干燥为在空气中室温干燥，干燥的时间为5min～6h，所述揭膜的方法为用普通镊子直接揭下。