[发明专利]一种抗还原BME瓷介电容器及电容器用陶瓷材料

权利要求书

1.一种抗还原BME瓷介电容器用陶瓷材料，其特征在于：由以下重量份的原料组成：钛酸钡100份、草酸氧钒0.01-0.07份、硝酸锰0.15-0.46份、硝酸镁0.12-0.64份、硝酸锶0.18-1.00份、稀土A硝酸盐0.94-4.62份、稀土B硝酸盐0.15-1.51份、硝酸铬0.10-0.41份、硝酸钡0.22-0.68份、碳酸氢钙0.13-0.42份、纳米二氧化硅0.12-0.52份、纳米二氧化铪0.18-0.50份；

其制备方法，包括如下步骤：

步骤一，将抗还原BME瓷介电容器用陶瓷材料中除钛酸钡、纳米二氧化硅及纳米二氧化铪以外的原料按其比例称重、混合，得到可溶性盐添加剂；

步骤二，向步骤一得到的可溶性盐添加剂中加入去离子水，搅拌使添加剂完全溶剂；

步骤三，向步骤二得到的溶液中加入钛酸钡、纳米二氧化硅和纳米二氧化铪，球墨搅拌，同时伴以超声波分散，超声频率20-40kHz，使钛酸钡和纳米二氧化硅、纳米二氧化铪均匀分散在溶液中，形成前驱体混合液；

步骤四，将步骤三制得的前驱体混合液进行超声喷雾热分解造粒，超声波雾化器工作频率2-5MHz，热分解室温度400-600℃，烧结温度800-1100℃，使前驱体混合液经过雾化、干燥、热风机、烧结的过程，形成纳米级氧化物均匀分散在钛酸钡颗粒上的粉体，即得抗还原BME陶瓷用陶瓷材料；

所述稀土A硝酸盐选择硝酸钇、硝酸镱中的一种或两种；所述稀土B硝酸盐选择硝酸镝、硝酸钬、硝酸铒中的一种或多种。

2.根据权利要求1所述的一种抗还原BME瓷介电容器用陶瓷材料，其特征在于：所述纳米二氧化硅、纳米二氧化铪的粒径小于50nm。

3.根据权利要求1所述的一种抗还原BME瓷介电容器用陶瓷材料，其特征在于：所述步骤二中，可溶性盐添加剂与去离子水按重量比为1:1-2。

4.一种抗还原BME瓷介电容器，其特征在于：采用如权利要求1至3任一项所述的抗还原BME瓷介电容器用陶瓷材料经瓷浆精练、涂布、印刷、叠压、切片、脱脂、烧结、端附工序制得，所述烧结的条件为：在还原气氛下烧结，烧结过程中通入H₂/N₂为1：30-70，同时加湿，在1180-1250℃保温1-4h，然后降温至800-1000℃回氧，氧气含量5-20ppm，保温2-6h，再冷却至室温。

5.根据权利要求4所述的一种抗还原BME瓷介电容器，其特征在于：所述瓷浆精练具体为：按重量比陶瓷材料：乙醇：甲苯：分散剂=100: 15-30 : 15-30：0.5-2分别加入陶瓷材料、乙醇、甲苯、分散剂，球磨1-8h后，再按重量比陶瓷材料：邻苯二甲酸二辛酯：聚乙烯醇缩丁醛酯=100:3-10:5-20加入邻苯二甲酸二辛酯和聚乙烯醇缩丁醛酯，继续球磨1-8h，获得流延浆料。

6.根据权利要求4所述的一种抗还原BME瓷介电容器，其特征在于：所述涂布工序中，涂布的厚度为≦8um。

7.根据权利要求4所述的一种抗还原BME瓷介电容器，其特征在于：所述印刷工序中，使用的内电极为镍金属电极。

8.根据权利要求4所述的一种抗还原BME瓷介电容器，其特征在于：所述端附工序中，使用的端附外电极为铜金属电极。