[发明专利]GeSn/钙钛矿异质结宽光谱探测器及其制作方法在审
| 申请号： | 202011541977.6 | 申请日： | 2020-12-22 |
| 公开（公告）号： | CN112670366A | 公开（公告）日： | 2021-04-16 |
| 发明（设计）人： | 万丰硕;薛春来;徐国印;刘智;郑军;左玉华;成步文 | 申请（专利权）人： | 中国科学院半导体研究所 |
| 主分类号： | H01L31/109 | 分类号： | H01L31/109;H01L31/0336;H01L31/18 |
| 代理公司： | 中科专利商标代理有限责任公司 11021 | 代理人： | 鄢功军 |
| 地址： | 100083 *** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | gesn 钙钛矿异质结宽 光谱 探测器 及其 制作方法 | ||
1.一种GeSn/钙钛矿异质结宽光谱探测器，包括：
衬底；
GeSn层，形成于所述衬底的一表面；
钙钛矿层，形成于所述GeSn上；
下电极，形成于所述衬底的另一表面；
上电极，形成于所述钙钛矿层上。
2.如权利要求1所述的GeSn/钙钛矿异质结宽光谱探测器，其中，所述钙钛矿层的厚度为1nm-10μm；所述钙钛矿层的材料优选是CsPbBr3。
3.如权利要求1所述的GeSn/钙钛矿异质结宽光谱探测器，其中，所述GeSn层的制备方法是分子束外延、磁控溅射或化学气相沉积方法；
所述GeSn层的厚度优选为0nm-10μm，且不为0；
所述GeSn层中Sn摩尔组分优选是0％到25％，且不为0。
4.如权利要求1所述的GeSn/钙钛矿异质结宽光谱探测器，其中，所述GeSn层为p型或n型GeSn层。
5.如权利要求1所述的GeSn/钙钛矿异质结宽光谱探测器，其中，所述下电极是金属电极；所述下电极优选为Ni、Al、Ti、Au、Cr中的一种或多种的组合；每种金属厚度优选均为1nm-1μm。
6.如权利要求1所述的GeSn/钙钛矿异质结宽光谱探测器，其中，所述上电极为透明电极或半透明电极；所述上电极优选为Au，厚度优选为5nm-50nm，Au电极采用热蒸发或电子束蒸发制备。
7.如权利要求1所述的GeSn/钙钛矿异质结宽光谱探测器，其中，所述衬底包括：n型或p型Ge衬底；Si衬底上外延的Ge虚衬底，Ge虚衬底的厚度在50nm-100μm之间，Si衬底导电类型为n型或p型。
8.如权利要求7所述的GeSn/钙钛矿异质结宽光谱探测器，其中，所述衬底的厚度为100-1000μm；所述Ge衬底的晶向为(100)、(110)、(111)。
9.如权利要求1所述的GeSn/钙钛矿异质结宽光谱探测器，其中，GeSn层可用SiGeSn/GeSn、Ge/GeSn或SiGe/GeSn单量子阱或多量子阱材料代替。
10.一种如权利要求1至9中任一项所述的GeSn/钙钛矿异质结宽光谱探测器的制作方法，其特征在于，包括以下步骤：
在衬底的一表面形成GeSn层；
在所述GeSn层上形成钙钛矿层；
在所述衬底的另一表面形成下电极；
在所述钙钛矿层上形成上电极。
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