[发明专利]mini-LED装置及制作方法

权利要求书

1.一种mini-LED装置，其特征在于，所述mini-LED装置分为绑定区、TFT区和表面贴合区，所述mini-LED装置包括：

衬底基板；

TFT器件，所述TFT器件位于所述衬底基板上；

绝缘层，所述绝缘层设置在所述TFT器件上；

金属反射膜，所述金属反射膜设置在所述绝缘层上；

mini-LED芯片，所述贴合区开设有贯穿所述金属反射膜及所述绝缘层的凹槽，所述凹槽内设置有焊料，所述mini-LED芯片通过所述焊料贴合在所述凹槽处且所述mini-LED芯片的底面与所述金属反射膜的表面接触；以及

透明保护层，所述透明保护层覆盖所述金属反射膜以及所述mini-LED芯片。

2.根据权利要求1所述的mini-LED装置，其特征在于，所述TFT器件包括：

第一金属层，所述第一金属层设置在所述衬底基板上，在所述绑定区、所述TFT区及所述表面贴合区均设置有所述第一金属层；

栅极绝缘层，所述栅极绝缘层覆盖除所述表面贴合区处的所述第一金属层外的所有所述第一金属层；

金属氧化物层，所述金属氧化物层位于所述栅极绝缘层上；

刻蚀阻挡层，所述刻蚀阻挡层覆盖所述金属氧化物层；

第二金属层，位于所述绑定区的所述第二金属层通过通孔与位于所述绑定区的所述第一金属层相连接，位于所述TFT区的所述第二金属层通过通孔与所述金属氧化物层相连接，位于所述表面贴合区的所述第二金属层与位于所述表面贴合区的所述第一金属层直接相连接；

平坦层，所述平坦层位于所述刻蚀阻挡层的上方；

ITO电极层，所述ITO电极层位于所述绑定区，所述ITO电极层通过通孔与所述绑定区的所述第二金属层相连接。

3.根据权利要求1所述的mini-LED装置，其特征在于，所述绝缘层为氧化硅、氮化硅或有机层。

4.根据权利要求1所述的mini-LED装置，其特征在于，所述金属反射膜为金属银、金属铝、合金金属或者其他金属层。

5.根据权利要求1所述的mini-LED装置，其特征在于，所述绝缘层和所述金属反射膜的图案相同，所述绝缘层和所述金属反射膜通过同一张掩膜版，经过不同顺序的刻蚀制成。

6.根据权利要求1所述的mini-LED装置，其特征在于，所述金属反射膜的反射率要求为：

白光像素：380纳米到700纳米波段之间的白光反射率大于85％；

红光像素：700纳米波段的红光的反射率大于85％，其他波段的反射率大于或小于85％；

绿光像素：550纳米波段的绿光的反射率大于85％，其他波段的反射率大于或小于85％；

蓝光像素：450纳米波段的蓝光的反射率大于85％，其他波段的反射率大于或小于85％。

7.根据权利要求1所述的mini-LED装置，其特征在于，所述mini-LED芯片为封装前芯片或封装后芯片。

8.一种mini-LED装置的制作方法，其特征在于，包括以下步骤：

步骤S1、在衬底基板上制作TFT器件；

步骤S2、在所述TFT器件上通过成膜、黄光以及刻蚀的方法形成一层绝缘层；

步骤S3、在所述绝缘层上制作形成金属反射膜；

步骤S4、贴合mini-LED芯片，所述贴合区开设有贯穿所述金属反射膜及所述绝缘层的凹槽，所述凹槽内设置有焊料，所述mini-LED芯片通过所述焊料贴合在所述凹槽处且所述mini-LED芯片的底面与所述金属反射膜的表面接触；以及

步骤S5、制作透明保护层。

9.根据权利要求8所述的mini-LED装置的制作方法，其特征在于，在所述步骤S3中还包括刻蚀图案，所述绝缘层和所述金属反射膜的图案相同，所述绝缘层和所述金属反射膜使用同一张掩膜版。

10.根据权利要求8所述的mini-LED装置的制作方法，其特征在于，在所述步骤S3中，所述金属反射膜的反射率要求为：

白光像素：380纳米到700纳米波段之间的白光反射率大于85％；

红光像素：700纳米波段的红光的反射率大于85％，其他波段的反射率大于或小于85％；

绿光像素：550纳米波段的绿光的反射率大于85％，其他波段的反射率大于或小于85％；

蓝光像素：450纳米波段的蓝光的反射率大于85％，其他波段的反射率大于或小于85％。