[发明专利]适用于半导体器件动态测试系统电流精准控制电路及方法

权利要求书

1.适用于半导体器件动态测试系统电流精准控制电路，其特征在于，包括主电路和闭环控制回路，主电路包括高压电源P1、电流互感器CT1和待测件DUT，所述闭环控制回路包括数模转换电路IC1、比较电路IC2、处理器IC3、逻辑与门电路IC4以及驱动电路DRV，所述高压电源P1为待测件DUT供电，电流互感器CT1位于主电路上，数模转换电路IC1的输出端与比较电路IC2的同相端连接，比较电路IC2的反相端与电流互感器CT1连接，比较电路IC2的输出端以及处理器IC3均与逻辑与门电路IC4的输入端连接，逻辑与门电路IC4的输出端与驱动电路DRV连接，驱动电路DRV与待测件DUT的受控端连接。

2.根据权利要求1所述的适用于半导体器件动态测试系统电流精准控制电路，其特征在于，所述主电路还包括电容组C1以及电感L1，所述电容组C1并联在高压电源P1的两端，电感L1连接到待测件DUT上。

3.根据权利要求2所述的适用于半导体器件动态测试系统电流精准控制电路，其特征在于，所述待测件DUT包括顺序编号的半导体器件Q1至半导体器件Q4、二极管D1以及二极管D2，所述半导体器件Q1的集电极、半导体器件Q2的集电极以及二极管D1的阴极均与电感L1的一端连接并接高压电源P1的一端，半导体器件Q1的发射极与半导体器件Q2的基极连接，半导体器件Q1的基极、半导体器件Q2的发射极、二极管D1的阳极、半导体器件Q3的集电极、半导体器件Q4的集电极以及二极管D2的阴极均连接，半导体器件Q3的发射极与半导体器件Q4的基极连接，半导体器件Q4的发射极与二极管D2的阳极连接并接高压电源P1的另一端，驱动电路DRV与半导体器件Q3的基极连接。

4.根据权利要求3所述的适用于半导体器件动态测试系统电流精准控制电路，其特征在于，所述半导体器件Q1至半导体器件Q4均为PNP型三极管。

5.根据权利要求3所述的适用于半导体器件动态测试系统电流精准控制电路，其特征在于，所述数模转换电路IC1的型号为AD5790。

6.根据权利要求3所述的适用于半导体器件动态测试系统电流精准控制电路，其特征在于，所述比较电路IC2的型号为LM293。

7.根据权利要求3所述的适用于半导体器件动态测试系统电流精准控制电路，其特征在于，所述处理器IC3的型号为TMS320F28377D。

8.根据权利要求1-7任一项所述的适用于半导体器件动态测试系统电流精准控制电路的方法，其特征在于，所述方法包括：

步骤一：需要进行600V下产生1000A的单脉冲测试时，数模转换电路IC1将1000A电流指令转换为模拟量输入给比较电路IC2的同相端；

步骤二：测试前，处理器IC3输出低电平，保障待测件DUT的驱动处于关闭状态；

步骤三：测试开始时，主电路中高压电源P1工作，提供1个稳定的600V直流电压；

步骤四：此时将处理器IC3的输出置高电平，驱动电路DRV的驱动正常开启；

步骤五：当电流互感器CT1监测主回路电流达到1000A时，比较电路IC2工作，将输出电平为低电平；

步骤六：逻辑与门电路IC4进行与门封锁输出，将输出维持为低电平，从而关闭待测件DUT门级回路，此时主回路电流达到目标值，结束测试。