[发明专利]一种用于处理半导体TiN工艺废气的方法

权利要求书

1.一种用于处理半导体TiN工艺废气的方法，其特征在于，所述方法包括以下步骤：

根据废气管路出口的气体温度值调节管路加热带的温度和热氮气的温度；

根据四氯化钛控制阀的开闭情况对喷水系统的电磁阀进行控制；

控制氨气阀打开，以使氨气进入燃烧腔室中进行燃烧处理；

所述根据废气管路出口的气体温度值调节管路加热带的温度和热氮气的温度包括：

检测所述废气管路出口的气体温度值；

根据所述气体温度值对所述管路加热带的温度和所述热氮气的温度进行调节，以使所述废气管路出口的气体温度值处于预定温度范围内；

废气管路出口的侧壁上设置有温度传感器，温度传感器用于检测废气管路出口的气体温度值； 废气处理设备设置有喷水系统，喷水系统包括喷头、电磁阀和供水设备，喷头设置于废气管路出口的上部，用于向废气管路出口喷水，供水设备通过输水管线与喷头连通，电磁阀设置于输水管线上，用于控制输水管线的导通与关闭； 废气管路出口的外周设置有夹层，夹层为中空结构。

2.根据权利要求1所述的用于处理半导体TiN工艺废气的方法，其特征在于，所述预定温度范围为136℃-200℃。

3.根据权利要求1至2任一项所述的用于处理半导体TiN工艺废气的方法，其特征在于，所述根据四氯化钛控制阀的开闭情况对喷水系统的电磁阀进行控制包括：

若检测到所述四氯化钛控制阀打开，则控制所述喷水系统的电磁阀打开向所述废气管路出口喷水；

若检测到所述四氯化钛控制阀处于关闭状态，则不控制所述喷水系统的电磁阀打开。

4.根据权利要求3所述的用于处理半导体TiN工艺废气的方法，其特征在于，所述根据四氯化钛控制阀的开闭情况对喷水系统的电磁阀进行控制还包括：

若检测到所述四氯化钛控制阀由打开状态切换至关闭状态，则控制所述喷水系统的电磁阀延时预定时间后关闭。

5.根据权利要求4所述的用于处理半导体TiN工艺废气的方法，其特征在于，所述预定时间大于1s。

6.根据权利要求1至2任一项所述的用于处理半导体TiN工艺废气的方法，其特征在于，所述废气管路出口的外周设置有夹层，所述热氮气在所述夹层中通过热传导的方式对所述废气管路出口进行加热。