[发明专利]一种重读管理方法、固态硬盘控制器及固态硬盘

说明书

本发明实施例涉及固态硬盘应用领域，公开了一种重读管理方法、固态硬盘控制器及固态硬盘，所述方法包括：根据第一单元数量以及第二单元数量，确定每一阈值电压的偏移方向；根据第一记录值和第二记录值，确定每一阈值电压的偏移程度；根据所述阈值电压的偏移方向以及偏移程度，确定调整后的阈值电压，并基于调整后的阈值电压，进行重读操作。通过记录在写入阶段和读取阶段时的每一电压分布状态，调整阈值电压的偏移方向以及偏移程度，确定调整后的阈值电压，本发明实施例能够提高固态硬盘的重读效率，从而提升整体读性能。

技术领域

本发明涉及固态硬盘应用领域，特别是涉及一种重读管理方法、固态硬盘控制器及固态硬盘。

背景技术

固态硬盘(Solid State Drives，SSD)，是采用固态电子存储芯片阵列而制成的硬盘，固态硬盘包括控制单元和存储单元(FLASH存储芯片或DRAM存储芯片)。目前固态硬盘系统中有相当部分是存在动态随机存取存储器(Dynamic Random Access Memory，DRAM)的，所以SSD有较大的数据缓存空间用来缓存数据。

闪存(NAND Flash)是固态硬盘的主要存储介质。闪存目前已发展到3D TLC，其IO接口速度发展到1600MT；其发展也带来一些问题，如原始错误比特率(UBER)越来越高，为了减少原始错误比特率，需要通过调整阈值电压后进行重读(Read Retry)。但是由于从闪存(NAND Flash)外部难以观察其电压分布偏移方向，故而调整阈值电压的重读操作往往需要较多次数。重读次数会影响了固态硬盘的读性能，特别是读性能的QoS(Quality ofService)中性能一致性(Consistency)表现。

现有的固态硬盘的主控或者固件，往往通过重读等级依次递增进行。而对对应单个重读过程中的阈值电压设置，往往是按照厂商给出列表进行一个个遍历尝试，导致重读成功率不足，重读次数过多。

基于此，现有技术亟待改进。

发明内容

本发明实施例旨在提供一种重读管理方法、固态硬盘控制器及固态硬盘，其解决了现有固态硬盘重读成功率不足的技术问题，提高固态硬盘的重读效率，从而提升整体读性能。

为解决上述技术问题，本发明实施例提供以下技术方案：

第一方面，本发明实施例提供一种重读管理方法，所述方法包括：

获取在写入阶段时处于每一电压分布状态的第一单元数量，并确定每一电压分布状态对应的第一记录值；

获取前一次重读在读取阶段时处于每一电压分布状态的第二单元数量，并确定每一电压分布状态对应的第二记录值；

根据所述第一单元数量以及第二单元数量，确定每一阈值电压的偏移方向；

根据所述第一记录值和第二记录值，确定每一阈值电压的偏移程度；

根据所述阈值电压的偏移方向以及偏移程度，确定调整后的阈值电压，并基于调整后的阈值电压，进行重读操作。

在一些实施例中，所述第一记录值包括第一状态值，所述第二记录值包括第二状态值，所述根据所述第一记录值和第二记录值，确定每一阈值电压的偏移程度，包括：

计算所述第一状态值与第二状态值的差值；

根据所述差值，确定步进量；

根据所述步进量，确定阈值电压的偏移程度。

在一些实施例中，所述根据所述第一单元数量以及第二单元数量，确定每一阈值电压的偏移方向，包括：

根据前一电压分布状态对应的第一单元数量和第二单元数量，确定前一电压分布状态对应的阈值电压的偏移方向；