[发明专利]具有波导模式光耦合增强的绿光OLED器件及其制备方法

权利要求书

1.一种具有波导模式光耦合增强的绿光OLED器件，其特征在于，包括依次从下到上层叠设置的衬底(1)、阳极(2)、空穴注入层(3)、空穴传输层(4)、绿光发光层(5)、电子传输层(6)、电子注入层(7)和导电阴极(8)；所述绿光发光层(5)的发光客体材料采用发绿光的荧光、磷光和热活化延迟荧光材料；所述空穴注入层(3)采用溶剂处理，通过调节溶剂处理时间和空穴注入层(3)的膜厚来控制溶剂气体分子的刻蚀深度。

2.根据权利要求1所述具有波导模式光耦合增强的绿光OLED器件，其特征在于：空穴注入层(3)采用聚合物材料，包括如下至少一种材料：poly(3,4-ethylenedioxythiophene)-poly(styrenesulfonate)、poly[N,N'-bis(4-butylphenyl)-N,N'-bis(phenyl)-benzidine]、poly[bis(4-phenyl)(2,4,6-trimethylphenyl)amine](PTAA)、poly[(9,9-dioctylfluorenyl-2,7-diyl)-co-(4,4'-(N-(4-sec-butylphenyl)diphenylamine)]；

或者，空穴注入层(3)采用小分子材料，包括如下至少一种材料：4,4',4-tris(N-3-methylphenyl-N-phenyl-amino)triphenylamine、4,4',4-tris(N-(naphthalen-2-yl)-N-phenyl-amino)triphenylamine、copper(II)phthalocyanine(CuPC)、titanium(IV)oxidephthaloc yanine、pyraz ino[2,3-f][1,10]phenanthroline-2,3-dicarbonitrile、N,N,N',N'-tetrakis(4-methoxyphenyl)benzidine、N,N'-diphenyl-N,N'-di-[4-(N,N-di-p-tolyl-amino)phenyl]benzidine、N4,N4'-(biphenyl-4,4'-diyl)bis(N4,N4',N4'-triphenylbiphenyl-4,4'-dia mine)、dipyrazino[2,3-f:2',3'-h]quinoxaline-2,3,6,7,10,11-hexa carbonitrile、diquinoxalino[2,3-a:2',3'-c]phenazine、7,7,8,8-tetracyano quinodimethane、2,3,5,6-tetrafluoro-7,7,8,8-tetracyano-quinodimethane、2,2'-(naphthalene-2,6-diylidene)dimalononitrile；

或者，空穴注入层(3)采用氧化物材料，包括如下至少一种材料：MoO₃、CuO、V₂O₅、NiO₂、WO₃。

3.根据权利要求1所述具有波导模式光耦合增强的绿光OLED器件，其特征在于：所述衬底层(1)的材料为刚性玻璃材料、透明聚合物柔性材料和生物可降解的柔性材料中的至少一种。

4.根据权利要求1所述具有波导模式光耦合增强的绿光OLED器件，其特征在于：所述阳极(2)的材料为ITO、FTO、AZO、IZO、石墨烯、碳纳米管、金属单质、金属单质纳米线、金属合金纳米线、金属异质结纳米线中的至少一种；所述阳极的厚度为80～200nm。