[发明专利]一种参数化单元及其实现方法

说明书

本发明提供了一种参数化单元及其实现方法，包括：提供参数化单元，所述参数化单元包括至少一个器件，所述器件包括多个膜层结构；根据预设的器件结构确定任一膜层结构待剪切的区域，所述预设的器件结构满足所述参数化单元的最小设计规则；根据所述待剪切的区域调整剪切层的图层设定，以使所述剪切层对所述待剪切的区域进行剪切，从而可以在符合最小设计规则的情况下，有限度开放定义剪切层的设计，进而可以根据需求调整器件的特性，使得器件能够应用于更多不同的应用场景中。

技术领域

本发明涉及半导体集成电路制造技术领域，更具体地说，涉及一种参数化单元及其实现方法。

背景技术

随着工艺的持续演进，类似格栅和剪切(Grating and Cut)的工艺，越来越频繁地应用在参数化单元各种关键层的设计中，例如，应用在鳍式场效应晶体管的栅极等图层的设计中。

按照设计规则手册设计参数化单元时，通过剪切工艺或者说通过剪切层(CutLayer)的应用，可以有效地减缓LER(Line End Roughness，线端粗糙)等所带来的问题。但是，按照现有的设计规则手册设计剪切层时，在符合最小规则的定义下，仅能提供一种固定样式的剪切层设计，不利于剪切层的应用。

发明内容

有鉴于此，本发明提供了一种参数化单元及其实现方法，以对参数化单元内剪切层进行调整，使得剪切后的器件的性能更优。

为实现上述目的，本发明提供如下技术方案：

一种参数化单元的实现方法，包括：

提供参数化单元，所述参数化单元包括至少一个器件，所述器件包括多个膜层结构；

根据预设的器件结构确定任一膜层结构待剪切的区域，所述预设的器件结构满足所述参数化单元的最小设计规则；

根据所述待剪切的区域调整剪切层的图层设定，以使所述剪切层对所述待剪切的区域进行剪切。

可选地，调整剪切层的图层设定包括：

调整剪切层的图层设定，使所述剪切层向至少一个方向延伸或缩减，以使所述剪切层对所述待剪切的区域进行剪切。

可选地，所述膜层结构待剪切的区域包括第一区域和第二区域，根据所述待剪切的区域调整剪切层的图层设定包括：

调整与所述第一区域对应的第一剪切层的图层设定，使所述第一剪切层向第一方向延伸第一预设距离；

调整与所述第二区域对应的第二剪切层的图层设定，使所述第二剪切层向第二方向延伸第二预设距离，所述第一方向和所述第二方向相反。

可选地，所述器件包括鳍式场效应晶体管；所述膜层结构包括栅极层、导电金属层和鳍式结构层。

一种参数化单元，采用如上任一项所述的方法实现。

与现有技术相比，本发明所提供的技术方案具有以下优点：

本发明所提供的参数化单元及其实现方法，参数化单元包括至少一个器件，器件包括多个膜层结构，根据预设的器件结构确定任一膜层结构待剪切的区域后，即可根据待剪切的区域调整剪切层的图层设定，以使剪切层对待剪切的区域进行剪切，从而可以在符合最小设计规则的情况下，有限度开放定义剪切层的设计，进而可以根据需求调整器件的特性，使得器件能够应用于更多不同的应用场景中。

附图说明

为了更清楚地说明本发明实施例或现有技术中的技术方案，下面将对实施例或现有技术描述中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本发明的实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据提供的附图获得其他的附图。

图1为本发明一个实施例提供的参数化单元的实现方法的流程图；