[发明专利]显示面板、显示装置和显示面板的制作方法在审
| 申请号: | 202011538383.X | 申请日: | 2020-12-23 |
| 公开(公告)号: | CN112635534A | 公开(公告)日: | 2021-04-09 |
| 发明(设计)人: | 钟建峰 | 申请(专利权)人: | 深圳市华星光电半导体显示技术有限公司 |
| 主分类号: | H01L27/32 | 分类号: | H01L27/32;H01L21/77 |
| 代理公司: | 深圳紫藤知识产权代理有限公司 44570 | 代理人: | 杜蕾 |
| 地址: | 518132 广东省深*** | 国省代码: | 广东;44 |
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| 摘要: | |||
| 搜索关键词: | 显示 面板 显示装置 制作方法 | ||
1.一种显示面板,其特征在于,包括:
基板;
金属遮光层,所述金属遮光层设置在所述基板上;
缓冲层,所述缓冲层设置在所述金属遮光层上;
第一电极层,所述第一电极层设置在所述缓冲层上,所述第一电极层包括:
有源层;
导体层,所述导体层与所述有源层间隔设置,所述导体层与所述金属遮光层相对设置;
间绝缘层,所述间绝缘层设置在所述第一电极层上;
第二电极层,所述第二电极层设置在所述间绝缘层上,所述第二电极层包括:
第一电极,所述第一电极与所述有源层电性连接;
第二电极,所述第二电极和所述第一电极之间间隔设置,所述第二电极包括:
第一电极部,所述第一电极部与所述有源层电性连接;
第二电极部,所述第二电极部与所述第一电极部相接,所述第二电极部与所述导体层相对设置,所述第二电极部与所述导体层之间形成第一电容,所述第二电极部与所述金属遮光层电性连接,使得所述金属遮光层与所述导体层之间形成第二电容。
2.根据权利要求1所述的显示面板,其特征在于,所述显示面板包括多个薄膜晶体管,所述第一电极为对应的薄膜晶体管的漏极,所述第一电极部为对应的薄膜晶体管的源极,所述第二电极部为阳极。
3.根据权利要求1所述的显示面板,其特征在于,所述第一电极层还包括:
栅极绝缘层,所述栅极绝缘层设置在所述有源层上;
栅极层,所述栅极层设置在所述栅极绝缘层上,所述栅极层与所述导体层电性连接。
4.根据权利要求1所述的显示面板,其特征在于,
所述缓冲层上设有第一通孔,所述第一通孔内具有导电材料;
所述间绝缘层上设有第二通孔,所述第二通孔内具有导电材料;
所述第二电极部通过所述第一通孔和所述第二通孔与所述金属遮光层电性连接。
5.根据权利要求1所述的显示面板,其特征在于,所述第一电极层和所述第二电极层包括:
第一透明层,所述第一透明层设置在所述间绝缘层或所述金属遮光层上;
金属层,所述金属层设置在所述第一透明层上;
第二透明层,所述第二透明层设置在所述金属层上。
6.根据权利要求5所述的显示面板,其特征在于,所述第一透明层和所述第二透明层的厚度范围均为500至1000埃米之间,所述金属层的厚度范围在3000至6000埃米之间。
7.根据权利要求1所述的显示面板,其特征在于,所述金属遮光层为包括多层金属膜层的层叠结构。
8.根据权利要求1所述的显示面板,其特征在于,所述金属遮光层的厚度范围为1000至4000埃米之间。
9.一种显示装置,其特征在于,包括如权利要求1-8任意一项所述的显示面板。
10.一种显示面板的制作方法,其特征在于,包括:
提供基板;
在所述基板上形成金属遮光层;
在所述金属遮光层上形成缓冲层;
在所述缓冲层上形成第一电极层,所述第一电极层包括有源层和导体层,所述导体层与所述有源层间隔设置,所述导体层与所述金属遮光层相对设置;
在所述第一电极层上形成间绝缘层;
在所述间绝缘层上形成第二电极层,所述第二电极层包括第一电极和第二电极,所述第一电极与所述有源层电性连接;所述第二电极和所述第一电极之间间隔设置,所述第二电极包括:第一电极部和第二电极部,所述第一电极部与所述有源层电性连接;所述第二电极部与所述第一电极部相接,所述第二电极部与所述导体层相对设置,所述第二电极部与所述导体层之间形成第一电容,所述第二电极部与所述金属遮光层电性连接,使得所述金属遮光层与所述导体层之间形成第二电容。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的





