[发明专利]一种层状化合物在光热电探测器中的应用及其应用方法有效
| 申请号： | 202011534409.3 | 申请日： | 2020-12-23 |
| 公开（公告）号： | CN112670396B | 公开（公告）日： | 2022-07-19 |
| 发明（设计）人： | 李亮;王玺;李刚 | 申请（专利权）人： | 安徽大学 |
| 主分类号： | H01L35/18 | 分类号： | H01L35/18;H01L35/34;C22C12/00;C23C14/30 |
| 代理公司： | 合肥汇融专利代理有限公司 34141 | 代理人： | 赵宗海 |
| 地址： | 230000 *** | 国省代码： | 安徽;34 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 层状 化合物 热电 探测器 中的 应用 及其 方法 | ||
【权利要求书】：
1.一种层状化合物在光热电探测器中的应用，其特征在于，所述层状化合物的化学式为NdSb2，且所述NdSb2为二维光电材料。
2.一种如权利要求1所述的层状化合物在光热电探测器中的应用，其特征在于：所述光热电探测器的制备方法为将NdSb2制备成NdSb2薄片，后通过转移电极的方法来制备器件，再将器件于光热电探测器中进行应用。
3.根据权利要求2所述的一种层状化合物在光热电探测器中的应用，其特征在于：采用机械剥离的方法制备NdSb2薄片。
4.根据权利要求2所述的一种层状化合物在光热电探测器中的应用，其特征在于：所述器件的制备方法包括以下步骤：
（1）通过使用标准光刻和高真空电子束蒸发在具有原子级平坦表面的硅基板上制备50纳米厚的金金属电极；
（2）施加六甲基二硅氮烷层，然后在金属电极的顶部旋涂PMMA层；
（3）通过使用PDMS在转移平台上机械释放，制得器件。
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