[发明专利]一种基于双互补开环的表面传感器的5G双频段介电常数无损测量方法

权利要求书

1.一种基于双互补开环表面的传感器的5G双频段介电常数无损测量方法，该传感器结构由介质层、微带线层和类双圆环GND层三部分组成，其特征在于，所述从下到上依次包括GND层（3）、介质层（2）、微带线层（1）其中所述介质层用于形成类LC谐振腔体；所述GND层用于和贴片层激励形成等效电路，并通过与被测样品接触来测量样品的介电常数；所述微带线层使得高频信号能进行较有效地传输，并且使信号输出端与负载很好地匹配。

2.根据权利要1所述的种基于双互补开环的表面传感器的5G双频段介电常数无损测量方法，所述GND层包括由类似4个圆环蚀刻做成的双互补开环结构，所述的双CSRR结构层用于与不同的被测样品形成微变的等效电路。

3.根据权利要求1所述的一种基于双互补开环的表面传感器的5G双频段介电常数无损测量方法，其特征在于，所述GND层(1)和微带线层（2）的厚度为0-0.02mm,金属材料可为金、银、铜等，也可以是具有与金、银、铜相当导电率的导电材料。

4.根据权利要求3所述的微带线层，其特质在于，所述微带线层为一条从介质层纵向中间位置穿过的微带线，其尺寸为80mm×1.5mm。

5.根据权利要求3所述的一种基于双互补开环的表面传感器的5G双频段介电常数无损测量方法，其特征在于所述的介质层（3）尺寸为80mm×26mm×0.73mm，且可在该尺寸的基础上上下浮动0.05mm；材料采用介电常数为4.9的FR4材料，损耗正切值为0.02。

6.根据权利要求1所述的基于双互补开环的表面传感器的5G双频段介电常数无损测量方法，其特征在于，所述的GND层(1)为一块蚀刻双互补开环的的矩形金属，其中左边的互补开环结构分别蚀刻两个圆环，较小圆环的内圆半径为6.01mm，外圆半径为6.39mm；较大圆环的内圆半径为6.61mm，外圆半径为7mm；右边的互补开环结构同样分别蚀刻两个圆环，较小圆环的内圆半径为3mm，外圆半径为3.2mm；较大圆环的内圆半径为3.3mm，外圆半径为3.5mm；

根据权利要求6所述的左侧双互补开环结构，其特征在于，所述的左侧互补开环结构在外圆环的顶端和内圆环的顶端分部蚀刻两条狭缝，其中内外圆环的狭缝为0.22mm。

7.根据权利要求6所述的右侧互补开环的结构，其特征在于，所述的右侧互补开环结构在外圆环的顶端和内圆环的顶端分部蚀刻两条狭缝，其中内外圆环的狭缝为0.11mm。

8.根据权利要求1所述的一种基于双互补开环的表面传感器的5G双频段介电常数无损测量方法，其特征在于，所述的一种基于双互补开环的表面传感器的5G双频段介电常数无损测量方法具备两个测量频带，其中一个频带在2-2.8GHz范围内，剩余一个频带在3.5-5GHz范围内。

9.根据权利要求1所述的一种基于双互补开环的表面传感器的5G双频段介电常数无损测量方法，其特征在于，所述的一种基于双互补开环的表面传感器的5G双频段介电常数无损测量方法对不同介电常数的被测物反应敏感，测量精度可以达到±0.03之内。