[发明专利]低VOC的半导体芯片清洗剂及其制备方法在审
| 申请号： | 202011531951.3 | 申请日： | 2020-12-22 |
| 公开（公告）号： | CN112592769A | 公开（公告）日： | 2021-04-02 |
| 发明（设计）人： | 陈成勋;种光耀;黄继承 | 申请（专利权）人： | 苏州柏越纳米科技有限公司 |
| 主分类号： | C11D1/72 | 分类号： | C11D1/72;C11D3/43;C11D3/44;C11D3/20;C11D3/37;C11D3/28;C11D3/60 |
| 代理公司： | 南京苏科专利代理有限责任公司 32102 | 代理人： | 蒋慧妮 |
| 地址： | 215000 江苏省苏州市工业*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | voc 半导体 芯片 洗剂 及其 制备 方法 | ||
1.低VOC的半导体芯片清洗剂，其特征在于：所述清洗剂的pH值为7.2-8.5，所述清洗剂的VOC≤100g/L，其组成和重量份数为，
2.如权利要求1所述的低VOC的半导体芯片清洗剂，其特征在于：所述清洗剂的组成和重量份数为，
3.如权利要求2所述的低VOC的半导体芯片清洗剂，其特征在于：所述醇醚溶剂为丙二醇单甲醚、丙二醇丁醚、三丙二醇单丁醚中的一种或一种以上组合物。
4.如权利要求2所述的低VOC的半导体芯片清洗剂，其特征在于：所述醇醚溶剂为按重量份比丙二醇单甲醚0～5、丙二醇丁醚1～5、三丙二醇单丁醚0～3的混合溶剂。
5.如权利要求2所述的低VOC的半导体芯片清洗剂，其特征在于：所述缓蚀剂为丙酮肟、聚天冬氨酸、EDTA、苯丙三氮唑、柠檬酸钠中的一种或一种以上组合。
6.如权利要求5所述的低VOC的半导体芯片清洗剂，其特征在于：所述缓蚀剂为丙酮肟和聚天冬氨酸的混合，且丙酮肟和聚天冬氨酸重量份比为0.2-0.8。
7.如权利要求2所述的低VOC的半导体芯片清洗剂，其特征在于：所述非离子表面活性剂为异构十三醇聚氧乙烯醚中一种或一种以上的组合，所述异构十三醇聚氧乙烯醚分子式为C13H27O(CH2CH2O)nH，其中n＝5～10。
8.如权利要求1-7中任意一种所述的低VOC的半导体芯片清洗剂的制备方法，其特征在于：包括如下步骤，在反应釜中加入去离子水和非离子表面活性剂，在转速为700r/m～1000r/m下搅拌均匀，然后再加入醇醚溶剂、N-羟乙基-2-吡咯烷酮，当上述混合液搅拌至澄清均一溶液后，将缓蚀剂制缓慢加入，搅拌至澄清稳定溶液，得到所需的清洗剂。
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