[发明专利]显示装置和制造显示装置的方法在审
| 申请号: | 202011529310.4 | 申请日: | 2020-12-22 | 
| 公开(公告)号: | CN113130573A | 公开(公告)日: | 2021-07-16 | 
| 发明(设计)人: | 赵镛善;边宇中;丁得洙;金周爀 | 申请(专利权)人: | 乐金显示有限公司 | 
| 主分类号: | H01L27/32 | 分类号: | H01L27/32 | 
| 代理公司: | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人: | 王萍;姚文杰 | 
| 地址: | 韩国*** | 国省代码: | 暂无信息 | 
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| 摘要: | |||
| 搜索关键词: | 显示装置 制造 方法 | ||
提供了显示装置和制造显示装置的方法,该显示装置包括:其中放置有像素的基板,基板包括发光区和与发光区相邻的布线区;形成在基板上位于布线区中的至少一个布线;形成在至少一个布线上的多个绝缘层;形成在多个绝缘层上位于发光区中的阳极电极;形成在阳极电极上并覆盖阳极电极的发光层;以及形成在发光层上的阴极电极,其中,形成在基板上的至少一个布线将信号施加至像素,多个绝缘层覆盖至少一个布线,以及多个绝缘层中的至少一个形成在基板的除发光区的至少一个区域或所有区域之外的区域中。
相关申请的交叉引用
本申请要求于2019年12月31日提交的韩国专利申请第10-2019-0179731号的优先权,该申请的全部内容出于所有目的通过该引用并入本文中。
技术领域
本公开内容涉及显示装置和制造显示装置的方法。
背景技术
构成有机发光二极管显示器的有机发光元件(以下称为发光元件)是自发光的,并且不需要单独的光源,从而减小了显示装置的厚度和重量。另外,有机发光二极管显示器具有诸如低功耗、高亮度和高响应率的高质量特性。
通常,发光元件具有按以下进行堆叠的结构:阳极电极、围绕阳极电极的边缘区的堤、在堤的内部形成在阳极电极上的发光层(emission layer)、以及覆盖发光层和堤的阴极电极。流至发光元件的电流的量由驱动晶体管控制,使得发光元件以所需的亮度发射光。
前述内容仅旨在帮助理解本公开内容的背景,而不旨在表示本公开内容落入本领域技术人员已知的相关技术的范围之内。
发明内容
本公开内容的实施方式旨在提供一种具有无堤结构的显示装置,其中省略了有机发光元件的堤以便减少工艺步骤和制造成本。
本公开内容的实施方式旨在提供一种具有无堤结构的显示装置,该显示装置解决了在阳极电极的边缘区处的过度发光以及光提取效率降低的问题。
根据实施方式,提供了一种显示装置,包括:其中放置有像素的基板,基板包括发光区和与该发光区相邻的布线区;形成在基板上位于布线区中的至少一个布线;形成在至少一个布线上的多个绝缘层;形成在多个绝缘层上位于发光区中的阳极电极;形成在阳极电极上并覆盖阳极电极的发光层;以及形成在发光层上的阴极电极,其中,形成在基板上的至少一个布线将信号施加至像素,多个绝缘层覆盖至少一个布线,以及多个绝缘层中的至少一个形成在基板的除发光区的至少一个区域或所有区域之外的区域中。
所述多个绝缘层可以包括:覆盖至少一个布线的缓冲层;形成在缓冲层上的钝化层;以及形成在缓冲层上方的外涂层(overcoat layer)。
缓冲层可以形成在基板的除发光区的至少一个区域或所有区域之外的区域中,以及钝化层和外涂层可以形成在整个发光区和布线区中。
至少一个区域可以包括发光区的边缘区,以及缓冲层可以形成在发光区的中央区中以及布线区中。
外涂层可以具有以下形状:外涂层的上表面在其中形成有缓冲层的区域中高,并且外涂层的上表面在其中未形成缓冲层的区域中低。
阳极电极可以具有取决于外涂层的上表面的轮廓的形状。
当缓冲层形成在发光区的中央区中以及除发光区的边缘区之外的布线区中时,阳极电极形成为凸形。
当缓冲层形成在除发光区的所有区域之外的布线区中时,阳极电极形成为凹形。
显示装置还可以包括:放置在钝化层与外涂层之间位于发光区中的滤色器。
基板还可以包括其中形成用于驱动像素的电路元件的非发光区,以及显示装置还可以包括:形成在所述非发光区中的缓冲层上的有源层;在有源层上以图案形成的栅极绝缘层;以及形成在栅极绝缘层上的导电层。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的





