[发明专利]一种用于半导体封装的引线框架及其制备方法

权利要求书

1.一种用于半导体封装的引线框架，包括框架本体和电镀层，其特征在于，所述框架本体的上表面具有若干微蚀槽，各微蚀槽内均填充有上述电镀层。

2.根据权利要求1所述的用于半导体封装的引线框架，其特征在于，所述电镀层的厚度与微蚀槽的厚度相同。

3.根据权利要求1所述的用于半导体封装的引线框架，其特征在于，所述电镀层的厚度为1.5～10μm。

4.根据权利要求1所述的用于半导体封装的引线框架，其特征在于，所述电镀层为镍钯金电镀层或银电镀层。

5.根据权利要求1所述的用于半导体封装的引线框架，其特征在于，所述框架本体为铜或铜合金材料制得。

6.一种如权利要求1-5任一所述的用于半导体封装的引线框架的制备方法，其特征在于，包括如下步骤：

(1)贴膜：在基板的上下表面各贴附一层干膜；

(2)微蚀：通过曝光和显影去除基板上表面的部分干膜，露出基板上表面的局部区域；再对局部区域进行微蚀处理，在基板上形成微蚀槽；

(3)电镀：用电镀液处理基板，在裸露的微蚀槽内形成电镀层；

(4)蚀刻：再次贴干膜覆盖住电镀层，通过曝光和显影去除基板上下表面的部分干膜，露出待蚀刻区域；对基板进行蚀刻处理，得到具有蚀刻孔的框架本体；

(5)退膜：去除引线框架上下表面剩余的干膜，经清洗、干燥，即得。

7.根据权利要求6所述的用于半导体封装的引线框架的制备方法，其特征在于，步骤(2)中微蚀处理为采用微蚀液喷淋基板的上表面，所述微蚀液的主要组分包括氯化铜、氯酸钠和盐酸。

8.根据权利要求7所述的用于半导体封装的引线框架的制备方法，其特征在于，微蚀液中Cu²⁺浓度为110～170g/L，H⁺浓度为1～3mol/L。

9.根据权利要求6或7所述的用于半导体封装的引线框架的制备方法，其特征在于，控制微蚀处理的温度为45～55℃。

10.根据权利要求7所述的用于半导体封装的引线框架的制备方法，其特征在于，微蚀液的喷淋压力为1～3kg/cm³。