[发明专利]一种IGBT半导体器件的制作方法及IGBT半导体器件在审
| 申请号： | 202011524233.3 | 申请日： | 2020-12-22 |
| 公开（公告）号： | CN112531021A | 公开（公告）日： | 2021-03-19 |
| 发明（设计）人： | 周炳;王源政;赵承杰 | 申请（专利权）人： | 张家港意发功率半导体有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/417 | 分类号： | H01L29/417;H01L29/739;H01L21/28;H01L21/331 |
| 代理公司： | 苏州国诚专利代理有限公司 32293 | 代理人： | 王丽 |
| 地址： | 215600 江苏省苏州市张*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 igbt 半导体器件 制作方法 | ||
1.一种IGBT半导体器件的制作方法，其特征在于，所述方法包括：
在正面镀铝后的IGBT芯片(1)的上表面的非发射极区域形成光刻图形(2)；
在光刻图形(2)上方蒸发金属层；
去除非发射极区域上方的金属层；
去除所述光刻图形(2)。
2.根据权利1所述的方法，其特征在于，在正面镀铝后的IGBT芯片(1)的上表面采用光刻的方式在非发射极区域形成光刻图形(2)。
3.根据权利要求2所述的方法，其特征在于，所述在非发射极区域形成光刻图形(2)，包括：
在非发射极区域形成光刻胶图形。
4.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述在光刻图形(2)上方蒸发金属层，包括：
在光刻图形(2)上方蒸发金属镍层(3)；以及
在金属镍层(3)上方蒸发金属银层(4)。
5.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述去除非发射极区域上方的金属层，包括：
在金属层上方贴膜层(5)；
去除所述膜层(5)，使发射极上方的金属层保留，使发射极以外区域的金属层脱落。
6.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述方法还包括：
在所述IGBT芯片的背面镀背面金属层(6)。
7.一种基于权利要求1-6任一项所述方法制作的IGBT半导体器件，其特征在于，包括：
发射极和栅极；
设置于所述发射极的金属层。
8.根据权利要求7所述的IGBT半导体器件，其特征在于，所述金属层包括依次设置于所述发射极表面的镍层和银层。
9.根据权利要求7所述的IGBT半导体器件，其特征在于，还包括：
在所述IGBT芯片的背面设置的背面金属层。
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