[发明专利]复合材料及电致发光器件

说明书

本发明涉及一种复合材料及电致发光器件。制备该复合材料的原料包括亚铜化合物和金属元素掺杂剂；所述亚铜化合物的组成元素包括铜元素和非金属元素；所述铜元素和所述非金属元素之间的键能小于所述金属元素掺杂剂和所述非金属元素之间的键能。金属元素掺杂剂可以占据亚铜空位的位置，降低亚铜空位的数量，降低自由空穴浓度，提高空穴迁移率。将本发明的复合材料用于QLED的空穴传输层中，可以提高器件的发光效率和延长其寿命。

技术领域

本发明涉及电致发光技术领域，特别是涉及一种复合材料及电致发光器件。

背景技术

受益于量子点独特的光学性质，例如发光波长随尺寸和组分连续可调，发光光谱窄，荧光效率高、稳定性好等，基于量子点的电致发光二极管(QLED)在显示领域得到广泛的关注和研究。同时，QLED显示还具有可折叠、可卷曲、响应速度快、可视角大、对比度高等诸多未来显示的美好特征，因而有望成为下一代的显示技术。

经过近30年的发展，QLED的研究取得了很大的进展。例如：红、绿、蓝三色QLED的外量子效率均已达到20％左右，接近理论极限。另一方面，QLED的寿命也获得了长足的进步，但距离最先进的OLED仍有很大的差距。比如，QLED存在明显的电子过量的问题，由于电子过量导致电子诱导的空穴传输层失效的问题在QLED中格外显著。鉴于目前QLED常用的空穴传输材料基本为有机物，而有机物不但稳定性较差，而且空穴迁移率也较低，因此，开发一种稳定性好、迁移率高的无机空穴传输材料对于促进QLED电荷平衡、提高QLED稳定性至关重要。

根据相关研究可知，以Cu₂O、CuI为代表的亚铜化合物是一种非常有前景的p型半导体，可用作空穴传输材料。但这些材料一般具有大量的亚铜空位，产生大量的自由空穴，容易产生散射效应，严重影响空穴迁移率，对QLED的发光效率和寿命不利；并且，若是QLED的空穴传输层中具有大量的自由空穴，也会导致量子点荧光猝灭，降低QLED的亮度和发光效率。

发明内容

基于此，本发明提供了一种减少亚铜化合物的亚铜空位数量或自由空穴浓度的技术方案，旨在自由空穴浓度和空穴迁移率之间取得较好的平衡，使其能作为一种性能优良的复合材料，可用作空穴传输材料。

技术方案如下：

一种复合材料，其制备原料包括亚铜化合物和金属元素掺杂剂；

所述亚铜化合物的组成元素包括铜元素和非金属元素；

所述铜元素和所述非金属元素之间的键能小于所述金属元素掺杂剂和所述非金属元素之间的键能。

本发明还提供上述的复合材料的应用。技术方案如下：

一种电致发光器件，其制备原料包括上述的复合材料。优选地，所述电致发光器件为量子点发光二极管。

与现有技术相比，本发明具有如下有益效果：

本发明通过采用特定金属元素掺杂剂与亚铜化合物一起作为复合材料，由于所述金属元素掺杂剂和非金属元素之间的键能大于所述亚铜化合物中铜和非金属元素之间的键能，金属元素掺杂剂可以占据亚铜空位，降低亚铜空位的数量，降低自由空穴浓度，将其作为电致发光器件中的空穴传输材料，可减少对发光层(特别是量子点发光层)的荧光猝灭，并且可以提高空穴迁移率，提高电致发光器件的效率和寿命。

附图说明

图1是本发明一实施例所述的QLED器件的结构示意图；

其中，101是基板，102是阳极；103是空穴注入层，104是空穴传输层，105是量子点发光层，106是电子传输层，107是阴极。

具体实施方式

为使本发明的目的、技术方案及效果更加清楚、明确，以下对本发明进一步详细说明。应当理解，此处所描述的具体实施例仅仅用以解释本发明，并不用于限定本发明。