[发明专利]快恢复二极管及其制备方法在审
| 申请号： | 202011520153.0 | 申请日： | 2020-12-21 |
| 公开（公告）号： | CN114649420A | 公开（公告）日： | 2022-06-21 |
| 发明（设计）人： | 曹群;郭小青 | 申请（专利权）人： | 比亚迪半导体股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/868 | 分类号： | H01L29/868;H01L21/329;H01L29/06 |
| 代理公司： | 深圳众鼎专利商标代理事务所(普通合伙) 44325 | 代理人： | 姚章国 |
| 地址： | 518119 广东省*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 恢复 二极管 及其 制备 方法 | ||
1.一种快恢复二极管，其特征在于，包括：
第一导电类型半导体层，所述第一导电类型半导体层的上表面存在晶格失配；
第二导电类型半导体层，所述第二导电类型半导体层位于所述第一导电类型半导体层的上表面，且与所述第一导电类型半导体层的上表面同形，而且，所述第二导电类型半导体层与所述第一导电类型半导体层相接触以形成PN结。
2.根据权利要求1所述的快恢复二极管，其特征在于，所述第一导电类型半导体层包括：
第一导电类型衬底层；
第一导电类型外延过渡层，其中，所述第一导电类型外延过渡层位于所述第一导电类型衬底层的上表面；
第一导电类型外延层，其中，所述第一导电类型外延层位于所述第一导电类型外延过渡层的上表面，而且所述第一导电类型外延层的上表面存在所述晶格失配并与所述第二导电类型半导体层相接触。
3.根据权利要求2所述的快恢复二极管，其特征在于，所述第二导电类型半导体层是通过在所述第一导电类型外延层的上表面同形形成第一导电类型第二外延层并在所述第一导电类型第二外延层中进行第二导电类型离子的注入而形成的。
4.根据权利要求3所述的快恢复二极管，其特征在于，所述第一导电类型第二外延层的电阻率与所述第一导电类型外延层的电阻率相同。
5.根据权利要求1至4中任一权利要求所述的快恢复二极管，其特征在于，所述PN结的结深接近于所述第二导电类型半导体层的厚度。
6.一种快恢复二极管的制备方法，其特征在于，包括：
形成第一导电类型半导体层，所述第一导电类型半导体层的上表面存在晶格失配；
在所述第一导电类型半导体层的上表面同形形成第二导电类型半导体层，其中，所述第二导电类型半导体层与所述第一导电类型半导体层相接触以形成PN结。
7.根据权利要求6所述的方法，其特征在于，所述形成第一导电类型半导体层，包括：
形成第一导电类型衬底层；
在所述第一导电类型衬底层的上表面形成第一导电类型外延过渡层；
在所述第一导电类型外延过渡层的上表面形成第一导电类型外延层，其中，所述第一导电类型外延层的上表面存在所述晶格失配并与所述第二导电类型半导体层相接触。
8.根据权利要求7所述的方法，其特征在于，所述在所述第一导电类型外延过渡层的上表面形成第一导电类型外延层，包括：
在所述第一导电类型外延过渡层的上表面外延形成所述第一导电类型外延层；
对所述第一导电类型外延层的上表面进行干法刻蚀，得到上表面存在所述晶格失配的所述第一导电类型外延层。
9.根据权利要求7所述的方法，其特征在于，所述在所述第一导电类型半导体层的上表面同形形成第二导电类型半导体层，包括：
在所述第一导电类型外延层的上表面同形形成第一导电类型第二外延层；以及
在所述第一导电类型第二外延层中进行第二导电类型离子的注入来形成所述第二导电类型半导体层。
10.根据权利要求9所述的方法，其特征在于，所述第一导电类型第二外延层的电阻率与所述第一导电类型外延层的电阻率相同。
11.根据权利要求6至10中任一权利要求所述的方法，其特征在于，所述PN结的结深接近于所述第二导电类型半导体层的厚度。
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