[发明专利]一种光增强氙灯泵浦激光放大器及其制备方法

权利要求书

1.一种光增强氙灯泵浦激光放大器，由氙灯泵浦源、隔板玻璃和增益介质组成，其特征在于：在所述的氙灯泵浦源灯罩外设有光转换薄膜，该光转换薄膜用于吸收特定波段的氙灯光谱，并转换为所述的增益介质可吸收的波长。

2.根据权利要求1所述的光增强氙灯泵浦激光放大器，其特征在于，所述的光转换薄膜的厚度为1～50nm。

3.根据权利要求1所述的光增强氙灯泵浦激光放大器，其特征在于，所述的光转换薄膜的材料包括钙钛矿、II-VI族半导体、IV-VI族半导体、III-V族半导体、的一种或多种。

4.根据权利要求3所述的光增强氙灯泵浦激光放大器，其特征在于：所述光转换薄膜的材料为ABX₃型钙钛矿半导体化合物的，荧光发光波长位于400～800nm；其中，A为CH₃NH₃⁺(甲胺基)、CH₃CH₂NH₃⁺(乙胺基)、CH(NH₂)²⁺(甲脒基)、C(NH₂)³⁺(胍基)、Li⁺、Na⁺、K⁺、Rb⁺、Ag⁺、Cu⁺、Cs⁺中至少一种一价阳离子，B为Ge²⁺、Sn²⁺、Pb²⁺、Be²⁺、Mg²⁺、Ca²⁺、Sr²⁺、Ba²⁺、Cu²⁺、Fe²⁺、Mn²⁺、Zn²⁺中至少一种二价金属离子，X为F^-、Cl^-、Br^-、I^-、SCN^-中至少一种一价阴离子，所述钙钛矿半导体化合物的禁带宽度值大于等于1.0eV，且小于等于2.5eV。

5.根据权利要求3所述的光增强氙灯泵浦激光放大器，其特征在于：所述光转换薄膜的采用II-VI族半导体、IV-VI族半导体、III-V族半导体材料，其发射波长为400～800nm；其中，II-VI族半导体包括CdSe、CdS、CdTe、ZnSe、ZnS、ZnTe、ZnO、HgTe、HgS；IV-VI族半导体包括PbSe、PbS、PbTe、SnSe、SnS、SnTe；III-V族半导体包括InP、InAs、InSb、InN、GaAs、GaP、GaN。

6.根据权利要求3所述的一种激光放大器，其特征在于：所述光转换薄膜采用MOF材料，发射波长为400～800nm；其中，金属选自La³⁺，Ce³⁺，Pr³⁺，Nd³⁺，Pm³⁺，Sm³⁺，Eu³⁺，Gd³⁺，Tb³⁺，Dy³⁺，Ho³⁺，Er³⁺，Tm³⁺，Yb³⁺，Lu³⁺中的一种或多种；晶相可属于单斜晶系、三斜晶系。

7.根据权利要求3所述的光增强氙灯泵浦激光放大器，其特征在于：所述的光转换膜的材料中，钙钛矿、II-VI族半导体、IV-VI族半导体、III-V族半导体的形貌包括量子点、纳米立方、纳米线、纳米棒、纳米片中的一种或多种纳米结构。