[发明专利]半导体器件的深阱电压的控制方法

权利要求书

1.一种半导体器件的深阱电压的控制方法，所述半导体器件包括第一衬底、设置在第一衬底上的第一阱及设置在所述第一阱上的第二阱，其特征在于，所述控制方法包括：当对所述第二阱施加负电压时，降低所述第一阱的电压，降低所述第一阱的电压的方法是，停止对所述第一阱施加电压，通过所述第二阱施加的负电压确定所述第一阱的当前电压，所述当前电压满足如下公式：Vdnw＝Vdd-|Vneg|*Cj1/(Cj1+Cj2)，其中，Vdnw为所述第一阱的当前电压，Vdd为所述第一阱的初始电压，Vneg为向所述第二阱施加的负电压，Cj1为所述第二阱与所述第一阱之间的边界处形成的寄生电容，Cj2为所述第一阱与所述第一衬底之间的边界处形成的寄生电容。

2.根据权利要求1所述的深阱电压的控制方法，其特征在于，所述第一衬底的类型与第二阱的类型相同，与所述第一阱的类型相反。

3.根据权利要求1所述的深阱电压的控制方法，其特征在于，所述第一衬底是P衬底，所述第一阱是深N阱，所述第二阱是P阱。

4.根据权利要求1所述的半导体器件的深阱电压的控制方法，其特征在于，当停止对所述第二阱施加负电压时，将所述第一阱的电压恢复至所述初始电压。

5.根据权利要求1所述的半导体器件的深阱电压的控制方法，其特征在于，所述控制方法进一步包括：在停止对所述第一阱施加电压后，监测所述第一阱电压，若所述第一阱电压小于一设定电压，则将所述设定电压施加于所述第一阱，作为所述第一阱的当前电压。

6.根据权利要求5所述的半导体器件的深阱电压的控制方法，其特征在于，若所述第一阱电压大于或等于所述设定电压，则保持所述第一阱的当前电压。

7.根据权利要求1所述的半导体器件的深阱电压的控制方法，其特征在于，对所述第一阱停止施加电压的方法是，断开所述第一阱与电源的电连接。