[发明专利]存储装置的操作方法

权利要求书

1.一种操作包括联接在源极线和位线之间的串的存储装置的方法，该方法包括以下步骤：

对所述串中从所述位线起的第N存储器单元进行编程；

在从所述位线起的所述第N存储器单元被编程之后，对所述串中从所述源极线起的第M存储器单元进行编程；

在从所述源极线起的所述第M存储器单元被编程之后，对联接在从所述位线起的所述第N存储器单元和从所述源极线起的所述第M存储器单元之间的存储器单元进行擦除；以及

对经擦除的存储器单元进行编程，

其中，N和M是正整数。

2.根据权利要求1所述的方法，其中，通过对联接至从所述位线起的所述第N存储器单元的字线施加编程电压并且对联接至其余存储器单元的字线施加通过电压来对从所述位线起的所述第N存储器单元进行编程，并且通过对联接至从所述源极线起的所述第M存储器单元的字线施加所述编程电压并且对联接至其余存储器单元的字线施加所述通过电压来对从所述源极线起的所述第M存储器单元进行编程。

3.根据权利要求1所述的方法，其中，当联接在从所述位线起的所述第N存储器单元和从所述源极线起的所述第M存储器单元之间的存储器单元被擦除时，从所述位线起的所述第N存储器单元和从所述源极线起的所述第M存储器单元未被擦除。

4.一种操作包括联接在源极线和位线之间的多个存储器单元的存储装置的方法，该方法包括以下步骤：

对所述多个存储器单元当中相对靠近所述位线的存储器单元和相对靠近所述源极线的存储器单元分别执行第一编程操作；

对所述多个存储器单元当中除了被执行以所述第一编程操作的存储器单元之外的存储器单元执行第一擦除操作；

对被执行以所述第一擦除操作的存储器单元当中的存储器单元执行第二编程操作；

对所述多个存储器单元当中除了被执行以所述第一编程操作或所述第二编程操作的存储器单元之外的存储器单元执行第二擦除操作；以及

对被执行以所述第二擦除操作的存储器单元当中的存储器单元执行第三编程操作。

5.根据权利要求4所述的方法，其中，当所述第三编程操作被执行时，对所述多个存储器单元当中除了被执行以所述第一编程操作、所述第二编程操作或所述第三编程操作的存储器单元之外的存储器单元执行第三擦除操作。

6.一种操作包括联接在源极线和位线之间的多个页的存储装置的方法，该方法包括以下步骤：

对所述多个页当中相对靠近所述位线的第N页和相对靠近所述源极线的第N页分别进行编程；

对所述第N页之间的页进行擦除；以及

对所述第N页之间的经擦除的页进行编程，

其中，N是正整数。

7.根据权利要求6所述的方法，其中，所述多个页中的每个页包括联接至同一字线的多个存储器单元。

8.一种操作包括联接在源极线和位线之间的串的存储装置的方法，该方法包括以下步骤：

对从所述位线起的第一最靠近的存储器单元进行编程；

在从所述位线起的所述第一最靠近的存储器单元被编程之后，对从所述源极线起的第一最靠近的存储器单元进行编程；

在从所述源极线起的所述第一最靠近的存储器单元被编程之后，对从所述位线起的第二存储器单元进行编程；

在从所述位线起的所述第二存储器单元被编程之后，对从所述源极线起的第二存储器单元进行编程；

在从所述源极线起的所述第二存储器单元被编程之后，对从所述位线起的第N存储器单元进行编程；

在从所述位线起的所述第N存储器单元被编程之后，对从所述源极线起的第N存储器单元进行编程；

对联接在从所述源极线起的所述第N存储器单元和从所述位线起的所述第N存储器单元之间的存储器单元进行擦除；以及

对经擦除的存储器单元进行编程。

9.一种操作包括串的存储装置的方法，所述串包括源极选择晶体管、漏极选择晶体管以及联接在所述源极选择晶体管和所述漏极选择晶体管之间的存储器单元，该方法包括以下步骤：

对从所述漏极选择晶体管起的第一最靠近的存储器单元进行编程；

在从所述漏极选择晶体管起的所述第一最靠近的存储器单元被编程之后，对从所述源极选择晶体管起的第一最靠近的存储器单元进行编程；

在从所述源极选择晶体管起的所述第一最靠近的存储器单元被编程之后，对从所述漏极选择晶体管起的第二存储器单元进行编程；

在从所述漏极选择晶体管起的所述第二存储器单元被编程之后，对从所述源极选择晶体管起的第二存储器单元进行编程；

在从所述源极选择晶体管起的所述第二存储器单元被编程之后，对从所述漏极选择晶体管起的第N存储器单元进行编程；

在从所述漏极选择晶体管起的所述第N存储器单元被编程之后，对从所述源极选择晶体管起的第N存储器单元进行编程；

对联接在从所述源极选择晶体管起的所述第N存储器单元和从所述漏极选择晶体管起的所述第N存储器单元之间的存储器单元进行擦除；以及

对经擦除的存储器单元进行编程。