[发明专利]半导体装置

说明书

提供了一种半导体装置。所述半导体装置包括：绝缘结构；多个水平层，在绝缘结构中竖直堆叠且彼此间隔开；导电材料图案，接触绝缘结构；以及竖直结构，穿透通过所述多个水平层并且延伸到绝缘结构上的导电材料图案中。所述多个水平层中的每个包括导电材料，竖直结构包括竖直部分和突出部分，竖直结构的竖直部分穿透通过所述多个水平层，竖直结构的突出部分从竖直部分延伸到导电材料图案中，竖直部分的宽度比突出部分的宽度大，突出部分的侧表面与导电材料图案接触。

本申请要求于2019年12月26日在韩国知识产权局提交的第10-2019-0175041号韩国专利申请的优先权的权益，该韩国专利申请的公开通过引用全部包含于此。

技术领域

本发明构思涉及一种半导体装置和相关的制造方法。

背景技术

随着半导体装置变得更小并且需要更高容量的数据处理，会需要提高构成这种半导体装置的元件的集成度。作为一个用于改善元件的集成度的这种方法，已经提出了具有垂直晶体管结构代替平面晶体管结构的半导体装置。

发明内容

本发明构思的方面在于提供一种能够改善集成度的半导体装置。

根据本发明构思的一方面，提供了一种半导体装置。该半导体装置包括：第一芯片结构；以及第二芯片结构，结合到第一芯片结构。第一芯片结构包括：半导体基底；第一绝缘结构，位于半导体基底上；外围电路，位于第一绝缘结构中；以及第一接合垫，位于第一绝缘结构中。第二芯片结构包括：第二绝缘结构；导电材料图案，位于第二绝缘结构上；多个水平层，在第二绝缘结构中竖直堆叠且彼此间隔开；竖直结构，穿透通过所述多个水平层并且延伸到第二绝缘结构上的导电材料图案中；以及第二接合垫，位于第二绝缘结构中。第一绝缘结构和第二绝缘结构彼此接触，第一接合垫和第二接合垫彼此接触，竖直结构包括竖直部分和从竖直部分延伸的突出部分，竖直结构的竖直部分穿透通过所述多个水平层，竖直结构的突出部分从竖直部分延伸到导电材料图案中，竖直结构包括从竖直部分延伸到突出部分的沟道层，沟道层的位于突出部分中的侧表面与导电材料图案接触。

根据本发明构思的一方面，提供了一种半导体装置。该半导体装置包括：绝缘结构；多个水平层，在绝缘结构中竖直堆叠并且彼此间隔开；导电材料图案，接触绝缘结构；以及竖直结构，穿透通过所述多个水平层并且延伸到绝缘结构上的导电材料图案中。所述多个水平层中的每个包括导电材料，竖直结构包括竖直部分和突出部分，竖直结构的竖直部分穿透通过所述多个水平层，竖直结构的突出部分从竖直部分延伸到导电材料图案中，在竖直结构中，竖直部分的宽度比突出部分的宽度大，突出部分的侧表面与导电材料图案接触。

根据本发明构思的一方面，提供了一种半导体装置。该半导体装置包括：基底；第一绝缘结构，位于基底上；第一接合垫，第一接合垫的各自的上表面与第一绝缘结构的上表面共面；第二绝缘结构，位于第一绝缘结构上；第二接合垫，第二接合垫的各自的下表面在第二绝缘结构中与第二绝缘结构的下表面共面；多个水平层，在第二绝缘结构中竖直堆叠且彼此间隔开；导电材料图案，位于第二绝缘结构上；以及竖直结构，穿透通过所述多个水平层并且延伸到第二绝缘结构上的导电材料图案中。第一绝缘结构和第二绝缘结构彼此接触，第一接合垫和第二接合垫彼此接触，竖直结构包括竖直部分和宽度比竖直部分的宽度窄的突出部分，竖直结构的竖直部分穿透通过所述多个水平层，竖直结构的突出部分从竖直部分延伸到导电材料图案中，突出部分的侧表面与导电材料图案接触。

附图说明

通过结合附图进行的以下详细描述，将更清楚地理解本发明构思的上面的和其它的方面、特征和优点，在附图中：

图1是示出根据本发明构思的实施例的半导体装置的示意性分解透视图。

图2是示意性地示出根据本发明构思的实施例的半导体装置的一些组件的平面图。

图3是示出根据本发明构思的实施例的半导体装置的示例的剖视图。

图4是示出根据本发明构思的实施例的半导体装置的示例的局部放大图。