[发明专利]过流检测电路、过流保护电路及开关电源有效

专利信息
申请号: 202011514089.5 申请日: 2020-12-21
公开(公告)号: CN112255451B 公开(公告)日: 2021-03-16
发明(设计)人: 贾生龙;李瑞平;刘彬;池伟 申请(专利权)人: 上海芯龙半导体技术股份有限公司南京分公司
主分类号: G01R19/165 分类号: G01R19/165;H02H7/12
代理公司: 杭州五洲普华专利代理事务所(特殊普通合伙) 33260 代理人: 徐晶晶
地址: 210044 江苏省南京*** 国省代码: 江苏;32
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摘要:
搜索关键词: 检测 电路 保护 开关电源
【权利要求书】:

1.一种过流检测电路,应用于开关电源芯片中的过流保护电路中,所述过流保护电路包括用于产生采样电压的电流采样模块,所述电流采样模块设有功率管和输出端,输出端电压记作VN,其特征在于,所述过流检测电路包括电流偏置模块、电流生成模块和电流阱模块,所述电流生成模块分别连接电流偏置模块和电流阱模块,过流检测电路输出端的输出电压记作V0,电流阱模块的第二端连接过流检测电路输出端;

所述电流生成模块包括第一电流模块和与第一电流模块连接的第二电流模块,所述第一电流模块包括第一三极管单元和第二三极管单元,第一三极管单元分别连接第二三极管单元、电流采样模块的输出端、电流偏置模块和电流阱模块的第一端,第二三极管单元连接电流采样模块的输出端和电流偏置模块;第二电流模块包括第三三极管单元和第四三极管单元,第二电流模块的输入端设有电压点并连接第三三极管单元和第四三极管单元,所述电压点记作VP,第四三极管单元分别连接第三三极管单元、电流阱模块的第二端和电流偏置模块,第三三极管单元分别连接第二三极管单元和电流偏置模块,基于电压VN,所述第一三极管单元集电极流出的电流为第一电流,基于电压VP,所述第四三极管单元集电极流出的电流为第二电流,电流阱模块汲取第一电流和第二电流,所述电流偏置模块为所述第二三极管单元和第三三极管单元产生偏置电流,所述偏置电流为定值,并且所述偏置电流为第二三极管单元和第三三极管单元中集电极电流及电流偏置模块中三极管发射极的电流之和;

当流过功率管的电流小于功率管预设过流保护点的电流时,电压VN大于电压VP,由于偏置电流为定值并且偏置电流为第二三极管单元和第三三极管单元中集电极电流及电流偏置模块中三极管发射极的电流之和,则第一电流大于第二电流,进而电流阱模块汲取的第一电流大于汲取的第二电流,则过流检测电路输出端的输出电压V0被置低,即输出电压输出为低电平状态;随着流过功率管的电流变大,电压VN逐渐降低,基于偏置电流为定值,则第三三极管单元集电极的电流逐渐增大;当流过功率管的电流大于预设过流保护点的电流时,电压VN小于电压VP,由于偏置电流为定值并且偏置电流为第二三极管单元和第三三极管单元中集电极电流及电流偏置模块中三极管发射极的电流之和,则第一电流小于第二电流,进而电流阱模块汲取的第一电流小于汲取的第二电流,则过流检测电路输出端的输出电压V0被抬高,输出电压由低电平状态转为高电平状态。

2.根据权利要求1所述的过流检测电路,其特征在于,所述过流检测电路中包括电阻R3,所述电流偏置模块包括三极管Q7和电阻R4,三极管Q7的基极连接参考信号端VREF,三极管Q7的发射集连接电阻R4的第一端,电阻R4的第二端接地,三极管Q7的集电极连接电阻R3的一端,电阻R3的另一端连接第二电流模块。

3.根据权利要求2所述的过流检测电路,其特征在于,第一三极管单元包括三极管Q3,第二三极管单元包括三极管Q4,三极管Q3、Q4的发射极分别连接采样电流模块的输出端,三极管Q3的基极分别连接三极管Q4的基极和三极管Q7的集电极,三极管Q3的集电极连接电流阱模块的第一端,三极管Q4的集电极分别连接三极管Q7的发射极和电阻R4的第一端;

第三三极管单元包括三极管Q5,第四三极管单元包括三极管Q6,所述第二电流模块还包括电阻R2,三极管Q5、Q6的发射极以及电阻R3的另一端分别连接电阻R2的一端,电阻R2的另一端连接电源电压端VCC,三极管Q5的基极分别连接三极管Q6的基极和三极管Q7的集电极,三极管Q5的集电极分别连接电阻R4的第一端和三极管Q7的发射极,三极管Q6的集电极分别连接电流阱模块的第二端和过流检测电路的输出端。

4.根据权利要求3所述的过流检测电路,其特征在于,所述电流阱模块包括三极管Q8和Q9,三极管Q8的集电极连接三极管Q3的集电极,三极管Q8的基极分别连接三极管Q8的集电极和三极管Q9的基极,三极管Q8、Q9的发射极分别接地,三极管Q9的集电极连接三极管Q6的集电极并连接过流检测电路的输出端。

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