[发明专利]一种晶圆传输装置及传输方法有效
| 申请号: | 202011510453.0 | 申请日: | 2020-12-18 |
| 公开(公告)号: | CN112614799B | 公开(公告)日: | 2022-12-20 |
| 发明(设计)人: | 李世敏;高飞翔;中岛隆志;冯琳 | 申请(专利权)人: | 上海广川科技有限公司 |
| 主分类号: | H01L21/677 | 分类号: | H01L21/677;H01L21/67 |
| 代理公司: | 上海天辰知识产权代理事务所(特殊普通合伙) 31275 | 代理人: | 陶金龙;吴世华 |
| 地址: | 200444 上海市*** | 国省代码: | 上海;31 |
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| 摘要: | |||
| 搜索关键词: | 一种 传输 装置 方法 | ||
1.一种采用晶圆传输装置进行晶圆传输的方法,其特征在于,所述晶圆传输装置包括用于晶圆加工的工艺腔、用于晶圆中转的搬运腔和用于存储晶圆的装载腔;其中,所述搬运腔位于所述装载腔和工艺腔之间;所述搬运腔保持低真空状态,所述装载腔与外界连通时,保持大气状态,所述装载腔与搬运腔连通时,保持低真空状态;
所述装载腔包括第一排气回路、位于第一排气回路上的阶梯阀Ⅰ、第一供气回路、位于第一供气回路上的阶梯阀Ⅲ;所述搬运腔包括第二排气回路、位于第二排气回路上的阶梯阀Ⅱ、第二供气回路、位于第二供气回路上的阶梯阀Ⅳ;所述阶梯阀Ⅰ、阶梯阀Ⅱ、阶梯阀Ⅲ和阶梯阀Ⅳ至少包括半开、全开和关闭三种状态;
当搬运腔的腔门关闭时,所述阶梯阀Ⅳ处于半开状态,使得搬运腔内供气和排气达到平衡,保持低真空状态;当搬运腔的腔门打开时,所述阶梯阀Ⅳ处于全开状态,使得搬运腔内供气和排气达到平衡,保持低真空状态;
搬运腔始终处于低真空状态,当搬运腔与装载腔或者工艺腔连通时,控制中心控制阶梯阀Ⅳ全开,使得搬运腔内供气和排气达到平衡,保持低真空状态;当搬运腔的腔门关闭,控制中心控制阶梯阀Ⅳ半开,使得搬运腔内供气和排气达到平衡,保持低真空状态;
当装载腔由大气状态转变为低真空状态时,控制中心控制阶梯阀Ⅰ半开,实现慢速排气,直至所述装载腔中真空压力达到第一预设压力时,控制阶梯阀Ⅰ切换为全开,实现快速排气,直至所述装载腔处于低真空状态;所述第一预设压力大于低真空状态压力;
当装载腔由真空状态转变为大气状态时,控制中心控制阶梯阀Ⅲ半开,实现慢速给气,直至所述装载腔中真空压力达到第二预设压力时,控制阶梯阀Ⅲ全开,实现快速给气,直至所述装载腔处于大气状态;所述第二预设压力大于低真空状态压力且小于大气状态压力。
2.根据权利要求1所述的晶圆传输的方法,其特征在于,第一排气回路和第二排气回路的另一端连接同一个真空泵,当晶圆从传输装置外侧传输至工艺腔时;具体包括如下步骤:
S01:对搬运腔进行抽真空处理:控制中心控制阶梯阀Ⅱ全开,控制阶梯阀Ⅰ关闭,直至搬运腔达到低真空状态;此时所述搬运腔腔门关闭,控制中心控制阶梯阀Ⅱ切换为半开,控制阶梯阀Ⅳ半开,使得搬运腔内供气和排气达到平衡,保持低真空状态;
S02:装载腔处于大气状态,将晶圆从外界传输至装载腔中;
S03:装载腔由大气状态转变为低真空状态:控制中心控制阶梯阀Ⅱ和阶梯阀Ⅲ关闭,使得所述搬运腔保持低真空状态;控制中心控制阶梯阀Ⅰ半开,实现慢速排气,直至所述装载腔中真空压力达到第一预设压力时,控制阶梯阀Ⅰ切换为全开,实现快速排气,直至所述装载腔处于低真空状态;
控制中心控制阶梯阀Ⅰ关闭,使得所述装载腔保持低真空状态;同时控制中心控制阶梯阀Ⅱ和梯阀Ⅳ半开,使得搬运腔内供气和排气达到平衡,保持低真空状态;
S04:装载腔和搬运腔连通,使得装载腔中晶圆传输至搬运腔中,此时,控制中心控制阶梯阀Ⅳ全开,使得搬运腔内供气和排气达到平衡,保持低真空状态;当晶圆传输完成后,搬运腔的腔门关闭,控制中心控制阶梯阀Ⅳ半开,使得搬运腔内供气和排气达到平衡,保持低真空状态;
S05:搬运腔和工艺腔连通,使得搬运腔中晶圆传输至工艺腔中;控制中心控制阶梯阀Ⅳ全开,使得搬运腔内供气和排气达到平衡,保持低真空状态;当晶圆传输完成后,搬运腔的腔门关闭,控制中心控制阶梯阀Ⅳ半开,使得搬运腔内供气和排气达到平衡,保持低真空状态;
S06:装载腔由真空状态转变为大气状态:控制中心控制阶梯阀Ⅲ半开,实现慢速给气,直至所述装载腔中真空压力达到第二预设压力时,控制阶梯阀Ⅲ全开,实现快速给气,直至所述装载腔处于大气状态;将传输装置外侧的晶圆传输至装载腔中;
S07:重复步骤S02-S06,实现晶圆从传输装置外侧至工艺腔中的传输。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造





