[发明专利]工艺腔室环境稳定性监控方法、半导体工艺设备

说明书

本申请实施例提供了工艺腔室环境稳定性监控方法、半导体工艺设备，该方法包括：基于目标工艺参数的当前参数值和目标工艺参数的历史参数值统计数据，确定是否满足工艺报警条件，其中，目标工艺参数为用于确定工艺腔室环境是否发生变化的工艺参数，目标工艺参数的历史参数值统计数据基于目标工艺参数的多个历史参数值确定；若满足工艺报警条件，则生成指示工艺腔室环境发生变化的报警信息。本申请实施例提供的技术方案可以及时监控到工艺腔室环境发生变化，生成指示工艺腔室环境发生变化的报警信息，以提示工程师进行相关的用于保证工艺腔室环境的稳定性的措施。

技术领域

本申请涉及半导体制造领域，具体涉及一种工艺腔室环境稳定性监控方法、半导体工艺设备。

背景技术

工艺腔室内腔室环境的稳定性直接影响工艺结果的一致性。例如，对于在工艺腔室中进行的刻蚀操作，工艺腔室环境发生变化会造成工艺漂移问题，若在腔室环境发生变化的情况进行刻蚀操作，得到的工艺结果会与先中进行刻蚀操作得到的刻蚀结果不一致。因此，如何对工艺腔室内腔室环境的稳定性进行监控即对监控工艺腔室的腔室环境是否发生变化进行监控成为一个需要解决的问题。

发明内容

本申请提供一种工艺腔室环境稳定性监控方法、半导体工艺设备。

根据本申请实施例的第一方面，提供一种工艺腔室环境稳定性监控方法，应用于半导体工艺设备，包括：

基于目标工艺参数的当前参数值和目标工艺参数的历史参数值统计数据，确定是否满足工艺报警条件，其中，目标工艺参数为用于确定工艺腔室环境是否发生变化的工艺参数，目标工艺参数的历史参数值统计数据基于目标工艺参数的多个历史参数值确定；

若满足工艺报警条件，则生成指示工艺腔室环境发生变化的报警信息。

根据本申请实施例的第二方面，提供一种半导体工艺设备，包括：

确定单元，被配置为基于目标工艺参数的当前参数值和目标工艺参数的历史参数值统计数据，确定是否满足工艺报警条件，其中，目标工艺参数为用于确定工艺腔室环境是否发生变化的工艺参数，目标工艺参数的历史参数值统计数据基于目标工艺参数的多个历史参数值确定；

工艺报警单元，被配置为若满足工艺报警条件，则生成指示工艺腔室环境发生变化的报警信息。

本申请实施例提供的工艺腔室环境稳定性监控方法、半导体工艺设备，基于工艺腔室的目标工艺参数的当前参数值和目标工艺参数的历史参数值统计数据，确定是否满足工艺报警条件；若满足工艺报警条件，则生成指示工艺腔室环境发生变化的报警信息。本申请实施例提供的技术方案可以及时监控到工艺腔室环境发生变化，生成指示工艺腔室环境发生变化的报警信息，以提示工程师进行相关的用于保证工艺腔室环境的稳定性的措施。

附图说明

此处的附图被并入说明书中并构成本说明书的一部分，示出了符合本申请的实施例，并与说明书一起用于解释本申请的原理。

图1示出了本申请实施例提供的工艺腔室环境稳定性监控方法的流程图；

图2示出了当前的副产物OES光谱信号与基础副产物OES光谱信号对比的效果示意图；

图3示出了本申请实施例提供的半导体工艺设备的结构框图。

具体实施方式

下面结合附图和实施例对本申请作进一步的详细说明。可以理解的是，此处所描述的具体实施例仅仅用于解释相关发明，而非对该发明的限定。另外还需要说明的是，为了便于描述，附图中仅示出了与有关发明相关的部分。

需要说明的是，在不冲突的情况下，本申请中的实施例及实施例中的特征可以相互组合。下面将参考附图并结合实施例来详细说明本申请。

图1示出了本申请实施例提供的工艺腔室环境稳定性监控方法的流程图，该方法包括：