[发明专利]一种碳化硅晶片单向三层双向六级台阶切割工艺

权利要求书

1.一种碳化硅晶片单向三层双向六级台阶切割工艺，其特征在于：采用激光和水射流的复合方式进行切割，包括以下步骤：

①选择较大且具有稳定激光束长度在碳化硅晶锭半径以上的激光头；

②从上面在碳化硅晶锭厚度方向的对称位置第1次切割至最深位置；

③随后在左边和右边同样地进行第2次和第3次切割到与第1次相同深度，从而建立起一个相对平缓的多次水射流宽度的面，这个面作为避免水柱干扰的第二深度切割的起始面；

④在中心对称线的左侧采用相同的喷口进行第2层首次切割到其最深深度；

⑤随后在厚度对称轴线的右侧进行第二层的第2次切割，并达到与第2层首次切割的相同深度；

⑥进行第3层首次切割，以达到碳化硅晶锭半径以上深度。