[发明专利]光刻胶相容性检测装置

权利要求书

1.一种光刻胶相容性检测装置，用于采用探针检测光刻胶不同深度的硬度的一致性，包括：

驱动电源，用于产生补偿电流；

压电驱动器，与所述驱动电源连接，基于所述补偿电流施加作用力以使所述探针进入所述光刻胶中；

激光单元，用于检测所述探针进入所述光刻胶的深度；以及

数据处理装置，与所述驱动电源相连接以获得所述补偿电流，与所述激光单元相连接以获取所述深度，以及根据所述补偿电流和所述深度的关系计算出所述光刻胶的相容性。

2.根据权利要求1所述的光刻胶相容性检测装置，所述压电驱动器还包括：悬臂，所述探针位于所述悬臂上，

所述激光单元发射激光照射所述悬臂的表面并接收反射光线，以检测所述探针进入所述光刻胶的深度。

3.根据权利要求2所述的光刻胶相容性检测装置，所述检测深度的方法选自飞行时间技术、多频相位移技术和干涉测量术中的任意一种。

4.根据权利要求1所述的光刻胶相容性检测装置，所述激光单元选自激光位移传感器，使用三角测量法检测所述深度。

5.根据权利要求4所述的光刻胶相容性检测装置，所述激光位移传感器包括：

激光发射电路，发射一束激光照射被测物体以形成入射光点；

感光电路，接收所述入射光点处的散射光束以形成反射光点；

信号处理电路，与所述激光发射电路和所述感光电路连接，接收所述激光发射电路和所述感光电路反馈的信号，并根据所述激光发射电路和所述感光电路反馈的信号检测所述探针进入所述光刻胶中的深度。

6.根据权利要求5所述的光刻胶相容性检测装置，所述激光发射电路选自半导体激光器。

7.根据权利要求5所述的光刻胶相容性检测装置，所述感光电路选自光电荷耦合器以及光电位置传感器中的任意一种。

8.根据权利要求1所述的光刻胶相容性检测装置，其中，所述光刻胶覆盖在半导体结构上，用于在所述半导体结构中形成台阶结构。

9.根据权利要求8所述的光刻胶相容性检测装置，所述半导体结构为3D存储器结构，包括：

衬底；以及

在所述衬底上形成的栅叠层结构，所述栅叠层结构包括交替堆叠的层间绝缘层和栅导体层。

10.根据权利要求9所述的光刻胶相容性检测装置，还包括：平台，其中，所述半导体结构放置在所述平台上，所述平台的温度可调节以模拟真实环境。