[发明专利]一种3D 封装叠层芯片互连用Cu3Sn泡沫铜复合接头快速制备方法

权利要求书

1.一种3D 封装叠层芯片互连用Cu3Sn/泡沫铜复合接头的快速制备方法，其特征在于，主要步骤包括：

（a）泡沫铜、锡合金箔和铜基板的清洗：将商用锡合金（锡99.3%铜0.7%）箔（100μm）、泡沫铜（500ppi）和铜基板（1×1×0.5mm）分别浸泡于丙酮溶液中，超声清洗5min，用于去泡沫铜、锡合金箔和铜基板表面的油污；之后将上述泡沫铜、锡合金箔和铜基板分别浸泡于质量浓度为0.5％的盐酸酒精溶液中，超声清洗5min，用于去除表面氧化物；之后将上述泡沫铜、锡合金箔和铜基板分别浸泡于质量浓度为0.5％的硝酸酒精溶液中，超声清洗5min，用于去除表面难溶氯化物；最后将上述泡沫铜、锡合金箔和铜基板分别浸泡于酒精溶液中，超声清洗5min后风干备用；

（b）将（a）获得清洗后的泡沫铜、锡合金箔和铜基板按照铜基板、锡合金箔、泡沫铜、锡合金箔、铜基板的顺序堆叠；

（c）在（b）中上基板施加频率为20 kHz, 压力为0.6 MPa,功率为 750 W的横向超声 4s。

2.根据权利要求1所述的一种3D 封装叠层芯片互连用Cu3Sn/泡沫铜复合接头的快速制备方法，其特征在于：所述步骤（a）的具体步骤：

（1）锡合金箔包括但不限于纯锡，锡含量99.3%铜含量0.7%锡合金，SAC系钎料中的一种或几种，厚度包括但不限于100μm；

（2）泡沫铜材质包括但不限于纯铜，黄铜，镍的一种或几种，泡沫铜孔径在5～500ppi之间，厚度在0.1～40mm之间，孔隙率在50～98%之间；

（3）铜基板材质包括但不限于纯铜，黄铜的一种或几种，尺寸包括但不限于1×1×0.5mm。

3.根据权利要求1所述的一种3D 封装叠层芯片互连用Cu3Sn/泡沫铜复合接头的快速制备方法，其特征在于：所述步骤（b）的具体步骤：

（1）泡沫铜、锡合金箔和铜基板的堆叠顺序包括但不限于铜基板、锡合金箔、泡沫铜、锡合金箔、铜基板。

4.根据权利要求1所述的一种3D 封装叠层芯片互连用Cu3Sn/泡沫铜复合接头的快速制备方法，其特征在于：所述步骤（c）的具体步骤：

（1）施加超声的位置包括但不限于上基板；

（2）施加超声的频率在15-75 kHz之间，施加压力在0.1-5 MPa之间，超声功率在750 W，施加超声的时间包括但不限于4 s，施加超声的方向包括但不限于横向。